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蝕刻

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最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

文章:411個(gè) 瀏覽:16065 帖子:14個(gè)

蝕刻技術(shù)

利用FFM機(jī)制進(jìn)行的極微細(xì)機(jī)械加工

利用FFM機(jī)制進(jìn)行的極微細(xì)機(jī)械加工

隨著超精密加工技術(shù)的發(fā)展,在機(jī)械加工中也需要納米級(jí)的加工控制技術(shù),從這個(gè)觀點(diǎn)出發(fā),近年來(lái),利用掃描型探針顯微鏡(SPM)的極微細(xì)加工技術(shù)被廣泛研究1)~...

2022-03-30 標(biāo)簽:機(jī)械蝕刻加工 765 0

MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究

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本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅(b-Si)的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能,研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時(shí)間短的兩步MACE法制備硼...

2022-03-29 標(biāo)簽:工藝蝕刻晶片 1092 0

關(guān)于晶片背面的薄膜蝕刻法說(shuō)明

關(guān)于晶片背面的薄膜蝕刻法說(shuō)明

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件,技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展,要想形成多層結(jié)構(gòu),將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積膜。如果...

2022-03-28 標(biāo)簽:蝕刻晶片 1826 0

光刻技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)分析

光刻技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)分析

最近的電子器件大多是由微細(xì)的電路元件構(gòu)成的,為了制造這些元件,微細(xì)加工已成為必須的技術(shù)。以前,為了這個(gè)目的使用了照相蝕刻技術(shù)(光刻法)。但是,半導(dǎo)體集成...

2022-03-28 標(biāo)簽:工藝光刻蝕刻 7555 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過(guò)在...

2022-03-28 標(biāo)簽:工藝蝕刻晶片 1367 0

KOH硅濕法蝕刻工藝設(shè)計(jì)研究

KOH硅濕法蝕刻工藝設(shè)計(jì)研究

在本研究中,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻,并演示了優(yōu)化的工藝配方,使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷,我們還提出了300m...

2022-03-28 標(biāo)簽:工藝蝕刻硅片 2725 0

濕法蝕刻MEMS硅腔的工藝控制

濕法蝕刻MEMS硅腔的工藝控制

硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻,通常通過(guò)堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀,TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依...

2022-03-08 標(biāo)簽:測(cè)試蝕刻晶片 2221 0

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告

摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體化學(xué) 2475 0

關(guān)于硫酸-過(guò)氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報(bào)告

關(guān)于硫酸-過(guò)氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報(bào)告

摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影...

2022-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體化學(xué)蝕刻 2926 0

半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析

半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析

引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對(duì)有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率...

2022-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電化學(xué)蝕刻 2865 0

蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究

蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究

引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)...

2022-01-12 標(biāo)簽:InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 2354 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶,而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能,如寬直接帶隙3.37 eV,大結(jié)合強(qiáng)度內(nèi)聚能1.89...

2022-01-12 標(biāo)簽:晶圓單晶蝕刻 1336 0

混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析

混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析

摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對(duì)工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化...

2022-01-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體印刷電路蝕刻 1629 0

多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性

多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性

摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí),需要對(duì)化學(xué)蝕刻劑有基本的了解,以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...

2022-01-07 標(biāo)簽:化學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1448 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件,技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu),會(huì)形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積...

2022-01-05 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體晶圓 1374 0

化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析

化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析

引言 化學(xué)蝕刻是通過(guò)與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來(lái)控制工件材料的溶解。該過(guò)程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的...

2021-12-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻蝕刻工藝 2961 0

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場(chǎng)的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初,人們已經(jīng)了 ...

2021-12-29 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體蝕刻 2977 0

半導(dǎo)體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

半導(dǎo)體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟,不僅可以有效地去除蝕刻過(guò)程中在接觸通孔的側(cè)壁...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子蝕刻 3583 0

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學(xué)加工中,制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù),特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體超聲波蝕刻 1272 0

氫氟酸水溶液中離子輻照LiNbO3的蝕刻

引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶,產(chǎn)生厚度為400納米的均勻損傷表面層,研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度,表明可以通過(guò)將...

2021-12-23 標(biāo)簽:蝕刻溶液 1848 0

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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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