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標簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。
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Nexperia推出肖特基二極管 泰國擴展羅德與施瓦茨移動頻譜監測系統
關鍵半導體領域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管,進軍大功率碳化硅 (SiC) 二極管市場。這是 Nexpe...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列,提供優異效率
新款 CoolSiC Hybrid產品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點,具備出色的開關速度和...
公司針對不同需求有高性價比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產品,反壓覆蓋200-900V,電流覆蓋0.5-24A。
韋爾半導體將為數字世界提供開關器件、信號放大器件、系統電源及控制方案、系統保護方案、電磁干擾濾波方案、分立器件 。我們目前有8條產品線:模擬開關,音頻功...
Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管,提升高頻應用能效
器件適用于服務器、電信設備、UPS和太陽能逆變器等應用領域的功率因數校正(PFC)續流、升降壓續流和LLC轉換器輸出整流,為設計人員實現系統優化提供高靈活性。
? ? ? ?在負載點(POL)降壓轉換器領域,同步變化的高邊和低邊有源開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低...
用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...
貿澤電子與SemiQ簽署全球分銷協議 分銷碳化硅電源產品組合
SemiQ SiC MOSFET模塊在高溫下的導通電阻較低,并具有出色的開關性能,可以簡化電力電子系統的散熱設計,非常適合用于光伏逆變器、電源、電機驅動...
肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可...
三安集成是化合物半導體研發、制造和服務專業平臺,通過產業鏈垂直整合,掌握化合物半導體發展的關鍵點:設計、材料、制程和檢測。
二極管中有電流流過,就會吸熱,而使自身溫度升高。在實際中外部散熱狀況對P也是影響很大。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過的電流加上反向恢復損耗。
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