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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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肖特基二極管(Schottky Diode)是一種電子器件,因其具有低電壓降和快速開(kāi)關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于電源電路、高速數(shù)字電路、射頻電路等領(lǐng)域。相比于普通...
肖特基二極管與瞬態(tài)抑制二極管,相信不少電子行業(yè)的人都聽(tīng)過(guò)這兩種元器件,今天,優(yōu)恩小編整理了以下關(guān)于這兩種器件產(chǎn)品的概念與特點(diǎn),一起來(lái)看看吧。 二極管 T...
Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和...
2023-04-20 標(biāo)簽:肖特基二極管電源轉(zhuǎn)換碳化硅 1973 0
國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證
國(guó)星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長(zhǎng)達(dá)1000小時(shí)的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗(yàn)證,仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài),可更好地適應(yīng)復(fù)雜多...
國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證
近日,國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件成功通過(guò)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證,并獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證...
WAYON維安功率肖特基二極管,適配器領(lǐng)域的助推器
肖特基二極管,是以它的發(fā)明人肖特基博士名字而命名的,又被稱(chēng)作是肖特基勢(shì)壘二極管。它是金屬與半導(dǎo)體材料相互接觸,且形成一定的勢(shì)壘后開(kāi)始工作的一種多數(shù)載流子器件。
如何開(kāi)發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu),緩解肖特基電極邊緣電場(chǎng)是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決,PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。
國(guó)產(chǎn)碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1
SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場(chǎng)上以選用WOLFSPEED公司的碳化硅為主,但由...
基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1應(yīng)用于1.3kW服務(wù)器電源
如圖為1.3kW服務(wù)器電源電路框圖,主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成,輸出12V電壓;在PFC功率因數(shù)校正部分,...
基本半導(dǎo)體亮相第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)
11月16-19日,由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦的 第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)(IC China 2022) 在合肥盛大舉行,...
圖1中,如果放大器趨向+15 V電軌,則連接至REF的保護(hù)二極管將開(kāi)啟,放大器將嘗試上拉REF節(jié)點(diǎn)。如果REF節(jié)點(diǎn)未通過(guò)強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器電路驅(qū)動(dòng),則REF節(jié)點(diǎn)(...
主動(dòng)PFC是服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)(SSI)一致性的要求:供電模塊應(yīng)該采用帶主動(dòng)功率因數(shù)校正的通用電源輸入,從而可以減少諧波,符合EN61000-3-2和JEI...
在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,同步變化的高邊和低邊有源開(kāi)關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開(kāi)關(guān)的此類(lèi)電路。與使用無(wú)源肖特基二極管作為低邊開(kāi)關(guān)的架構(gòu)相...
2022-08-01 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器降壓轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 642 0
肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成
Imec 展示了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和耗盡型 (d-mode) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 在基于 p 型氮化鎵 (GaN) HEMT 的 20...
2022-07-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶圓肖特基二極管 1537 0
采用Trench肖特基二極管實(shí)現(xiàn)電源功率密度的顯著提升
電源開(kāi)發(fā)通常是一個(gè)艱難的過(guò)程。無(wú)論是用于交流電設(shè)備還是便攜式設(shè)備,用戶(hù)都期望電源達(dá)到很高的效率,同時(shí)盡可能保持小巧緊湊。成本也是一個(gè)重要因素,另外電源還...
2022-07-23 標(biāo)簽:肖特基二極管開(kāi)關(guān)控制器ACDC電源 852 0
隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,電子設(shè)備的體積和重量越來(lái)越小,而傳統(tǒng)的連續(xù)式申聯(lián)穩(wěn)壓電源由于體積大、效率低則不能滿(mǎn)足整機(jī)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。開(kāi)關(guān)電源是體積小、重量輕、...
2022-05-20 標(biāo)簽:整流二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管 6033 0
如下是最傳統(tǒng)的采用 PMOS 做防反功能的電路單元,PMOS 的門(mén)級(jí)接電阻到地。當(dāng)輸入端接正向電壓時(shí),電流流過(guò) PMOS 的體二極管到負(fù)載端,當(dāng)正向電壓...
2022-05-18 標(biāo)簽:肖特基二極管電源系統(tǒng)PMOS 3122 0
具有1級(jí)防護(hù)設(shè)計(jì)的電路板在斷電時(shí)能限制帶電總線(xiàn)和插入電路板接口之間的電流,從而防止插入電路板受到損壞。這種瞬態(tài)電流限制就能保證在不打斷主電源情況下帶電插...
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