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標簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。
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在當今快速發展的電力電子領域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...
在基極限流電阻并聯小容量的電容(一般pF級別),當輸入信號上升、下降時候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流,所以在晶體管由導通狀態變化到截止狀態時能...
U7712同步整流芯片典型輸出5v3A,是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關,內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。
同步整流提高了傳統降壓轉換器,以及所有其他能夠使用同步整流的拓撲結構的動態性,擁有更加穩定的控制環路特性。
國芯思辰|基本半導體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車載充電機二次側整流
車載充電機可實現交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
有限的反向電壓:由于其結構,肖特基二極管整流器具有有限的反向電壓能力。最大數字通常在 100 伏左右。如果器件的制造具有上述數字,則會發現正向電壓將上升...
UnitedSiC FET-Jet計算器讓功率設計選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計算出整體效率、動態和導通導致的組件功耗以及電流應力水平;甚至可以指定并聯器件、多個轉換器“支路”和外部散熱片性能,以便預測結溫。
碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一,其能使系統效率更高,質量更輕,結構更緊湊。如今,碳化硅技術已經進入以空調為代表的家電應用場景來助...
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