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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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Littelfuse將在2016年P(guān)CIM Europe展會(huì)上展示“保護(hù),控制,傳感”市場應(yīng)用解決方案
中國,北京,2016年5月12日訊 - Littelfuse公司作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),將出席2016年5月10-12日在德國紐倫堡舉行的2...
2016-05-10 標(biāo)簽:二極管碳化硅硅IGBT技術(shù) 635 0
CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅( SiC )智能功率模塊
比利時(shí),蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布,向 Thales Avion...
2016-04-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器CISSOID功率模塊 2123 0
SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格,核心在技術(shù)
日前,碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?...
2015-09-06 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅CAS300M12BM2 1661 0
新一代功率半導(dǎo)體:多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
最近幾年,在半導(dǎo)體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)...
2014-02-04 標(biāo)簽:晶體管功率半導(dǎo)體碳化硅 1646 0
我國第三代半導(dǎo)體首次實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
中國首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國的能源危機(jī)。
電力電子上下游產(chǎn)業(yè)齊聚PEC西安站活動(dòng)
由愛戴愛集團(tuán)主辦,《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會(huì)西安站將于2013年1...
電力電子行業(yè)專家領(lǐng)導(dǎo)齊聚蘇州,共話行業(yè)發(fā)展新方向
由愛戴愛集團(tuán)主辦,《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站將于10月25-26號蘇州會(huì)議中心拉開序幕。此次PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站...
由于我國在第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)研究領(lǐng)域起步較晚,目前在材料的自主制備上仍面臨難關(guān)。同時(shí),我國對基礎(chǔ)的材料問題關(guān)注度不夠;一旦投入與支持的力度不夠,相關(guān)人...
2013-08-16 標(biāo)簽:LED照明碳化硅MOCVD設(shè)備 2030 2
隨著市場對混合動(dòng)力/電動(dòng)車的需求不斷增加,晶片產(chǎn)業(yè)對功率電子元件市場的期望也越來越高;市場研究機(jī)構(gòu) IHS 指出,來自電源供應(yīng)器、太陽光電逆變器(PV)...
Mouser推出Cree公司的業(yè)界首款1200V高頻碳化硅半電橋模塊
Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1,這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特...
羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組
日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等變流器/轉(zhuǎn)換器的碳化硅MOSFET 模組(額定規(guī)格1200V/ 180A)投入量產(chǎn)。
Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅標(biāo)準(zhǔn)功率模塊
Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide,SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊,它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬...
對于功率電子而言,寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本,顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡單地說,寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能,這種性能提...
美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200V肖特基二極管
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
飛兆半導(dǎo)體發(fā)布適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)方案
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC...
2012-11-22 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換碳化硅 1249 0
在功率元器件的發(fā)展中,主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里,在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k,同時(shí)將電壓也降低到1/k,力...
快捷半導(dǎo)體的碳化硅解決方案提高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠度
致力于實(shí)現(xiàn)更高功率密度,符合嚴(yán)格的效能法規(guī)及系統(tǒng)正常工作時(shí)間需求,工業(yè)應(yīng)用及電力電子設(shè)計(jì)者在其設(shè)計(jì)中面臨不斷降低功率損耗及提高效率方面的挑戰(zhàn)。 然而,在...
2012-11-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換碳化硅快捷半導(dǎo)體 1344 0
國內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門造 能減少75%的能耗
你可能不知道,采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗,碳化硅半導(dǎo)體已成為國際上公認(rèn)的將引領(lǐng)電力電子,特別是大功率電力電子下...
2012-04-12 標(biāo)簽:碳化硅碳化硅半導(dǎo)體 2349 0
科銳推出封裝型1700V碳化硅肖特基二極管C3Dxx170H
碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下,該系列二極...
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
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