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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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CISSOID新型柵極驅(qū)動器板亮相紐倫堡PCIM 2019展會
CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT...
Cree將宣布投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產(chǎn)能
先進的制造園區(qū),將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動汽車和5G市場需求。
2019年5月7日,美國北卡羅萊納州達勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美...
Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是,現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠遠不...
隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場對碳化硅(SiC)的需求持續(xù)增長,國內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10億美...
第二屆英飛凌碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇暨光伏與儲能分論壇在春意盎然的上海圓滿收官。
碳化硅技術(shù)的硬核玩家,英飛凌用“芯”領(lǐng)航新能源時代
論壇以“Cool 芯領(lǐng)航 英華綻放”為主題,英飛凌科技高級總監(jiān)Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術(shù)布局”發(fā)表主旨演講,為整個大會拉開...
碳化硅市場前景光明,國際市場強手林立,國內(nèi)玩家奮起直追
由于SiC具有高耐壓、低損耗、高效率等特性,可以讓功率器件突破硅的限制,帶來更好的導電性和電力性能。
“創(chuàng)新從來都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強的道路上,未來還充滿了許許多多的坎坷險阻,還有很多需要解決的科學和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...
大晶磊半導體最新研發(fā)的針對中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動解決方案
目前,大晶磊半導體可以為市場提供通過90kV BIL測試的碳化硅驅(qū)動模塊。而且此驅(qū)動模塊可以將碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率提升到500kHz,而耦合電容...
CISSOID和清華大學電機系達成合作 攜手推進基于碳化硅功率模塊系統(tǒng)研發(fā)
高溫與長壽命半導體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布:公司已與清華大學電機工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡稱電機系)達成技術(shù)合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳...
CISSOID和清華大學電機系共同研發(fā)碳化硅功率模塊系統(tǒng)
CISSOID與清華大學電機工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡稱電機系)達成技術(shù)合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng),期望共同攻克技術(shù)難題以...
使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導體技術(shù)正在興起
如典型的寬禁帶SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可顯著降低運行成本和...
Littelfuse推出兩款碳化硅肖特基二極管,提供最新的封裝尺寸
Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩款二極管,進一步擴大了其二代650V、符合AEC-Q101標準的碳化硅肖特基二極管系列。 相比傳統(tǒng)的硅基器...
2019-03-27 標簽:肖特基二極管Littelfuse碳化硅 1448 0
SiCMOSFET支持高能效、小外形、強固和高性價比的高頻設(shè)計,用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體,推出了兩款新的碳化...
TI推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動器,具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護
新型TI柵極驅(qū)動器提供先進的監(jiān)控和保護功能,同時還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率。
世紀金光面向新能源汽車推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品
世紀金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計,開發(fā)出了短路耐受時間長,導通電阻小,閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能...
比亞迪發(fā)布其車規(guī)級IGBT4.0技術(shù) 并斥巨資布局碳化硅
IGBT被業(yè)界譽為功率變流裝置“CPU”,今年迎來“缺貨潮”。數(shù)據(jù)顯示,2018年車規(guī)級IGBT模塊的交貨周期已從正常8-12周延長至最長52周,業(yè)界預...
碳化硅(SiC)是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料,世界各國對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,目前國際上已經(jīng)量產(chǎn)碳化硅(SiC)器...
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