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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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中科院成功制備8英寸碳化硅襯底;華強北二手iPhone價格大跳水
中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網發文表示,科研人員通過優化生長工藝,進一步解決了多型相變問題,持續改善晶體結晶質量,成功生...
耐溫更高:可以廣泛地應用于溫度超過600 ℃的高溫工況下,而 Si 基器件在 600 ℃左右時,由于超過其耐熱能力而失去阻斷作用。碳化硅極大提高了功率器...
Soitec 發布首款 200mm SmartSiC? 優化襯底,拓展碳化硅產品組合
? 中國北京,2022 年?5 月?6日?——設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業Soitec 近日發布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSi...
位于美國紐約州的新工廠擴大 Wolfspeed 制造產能,滿足從汽車到工業等諸多應用對于 SiC 器件急劇增長的需求。
在物理性能方面,AIN比碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有更小的損耗和更高的耐壓,因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”,即...
電子發燒友網報道(文/莫婷婷)近期,芯片短缺帶來的影響傳導到新能源汽車、智能手機等終端市場,這其中對于新能源汽車的影響更加露骨。從1月份至3月份,新能源...
近日,東莞松山湖管委會公布了《東莞市生態園2022年度土地征收成片開發方案》,內容顯示擬征地6.316公頃,將被用于保障天域半導體科技有限公司所建設的半...
解決辦法是將碳和硅這兩種儲量豐富的元素以1:1的比例結合在一起,制成一種叫碳化硅(SiC)的半導體。碳化硅可以承受極高的溫度,并且可在高溫下正常工作。
碳化硅(SiC)在設計大功率電子器件方面優于傳統硅,開發者們對SiC材料的物理特性還有性能有較多的認識,這種高性能化合物半導體的被廣泛采用,但在應用中如...
同時,結合浸淫多年的多管并聯技術,特斯拉可以在其電動汽車驅動系統中,按照不同的功率等級選擇不同數量的TPAK并聯,并根據不同的效率和成本要求選擇碳化硅M...
與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關,從而提供了簡化和可靠的系統布局。
未來兩年高端化是整車廠主戰場,軍備競賽開啟。補能時間是電動車面臨的核心短板之一,升級800V結構有利于實現快充,在短期內形成對中低端車型的差異化競爭力。...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導體器件已作為方案出現。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) M...
Microchip Technology Inc.宣布擴大其碳化硅產品組合
許多基于硅的設計在提高效率、降低系統成本和應用創新方面已經達到極限。雖然高壓碳化硅為實現這些目標提供了一種有效的替代方案,但到目前為止,3.3 kV碳化...
氮化鎵作為下一代半導體技術,其運行速度比傳統硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術,集成了氮化鎵功率場效應管...
Microchip推3.3 kV碳化硅(SiC)功率器件 微笑醫生獲得THL戰略投資
美國最大、發展最快的正畸牙科支持組織(“OSO”)微笑醫生,擁有超過 295 個地點,宣布來自 Thomas H. Lee Partners 的戰略投資...
Stellar E系列電動汽車專用微控制器,促進集中式電氣架構發展 簡化車載充電機高能效功率模塊和數字化功率轉換系統設計 來源:意法半導體 日前,中國?...
Microchip推出業界領先的3.3kV碳化硅(SiC)功率器件,實現更高的效率與可靠性
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管(SBD)擴大了設計人員對交通、能源和工業系統中的高壓電力電子產品的選擇范圍。
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