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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

高密度碳化硅功率模塊迎接電動(dòng)方程式挑戰(zhàn)

高密度碳化硅功率模塊迎接電動(dòng)方程式挑戰(zhàn)

本文重點(diǎn)介紹高密度 SiC 電源模塊在電動(dòng)方程式賽車中的相關(guān)作用,這是最先進(jìn)和最具挑戰(zhàn)性的比賽電動(dòng)汽車 ( EV )。將詳細(xì)介紹已成功用于電動(dòng)方程式的 ...

2022-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率模塊碳化硅 1757 0

電動(dòng)汽車中的碳化硅半導(dǎo)體

電動(dòng)汽車中的碳化硅半導(dǎo)體

當(dāng)您的電費(fèi)只減少幾美分或?qū)p少全球 CO 2排放量的貢獻(xiàn)微乎其微時(shí),可能很難將電子產(chǎn)品中的節(jié)能呼吁聯(lián)系起來,但是當(dāng)電動(dòng)汽車獲得更高的效率時(shí),效果更明顯—...

2022-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體碳化硅 1116 0

GaN和SiC熱管理的進(jìn)展

GaN和SiC熱管理的進(jìn)展

電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢(shì)以及對(duì)功率密度的需求不斷增加,將熱管理問題置...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1887 0

改進(jìn)碳化硅晶圓工藝

改進(jìn)碳化硅晶圓工藝

碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù),以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì) 2292 0

擴(kuò)大碳化硅晶圓供應(yīng)

擴(kuò)大碳化硅晶圓供應(yīng)

在環(huán)境問題、國(guó)家法規(guī)和消費(fèi)者壓力的推動(dòng)下,全球汽車電氣化競(jìng)賽正在進(jìn)行。碳化硅 (SiC)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,一直是電動(dòng)汽車(EV)的技術(shù)加速器,因?yàn)樗?..

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 358 0

碳化硅功率模塊建模

碳化硅功率模塊建模

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。 寬帶隙功率器件的緊湊模型對(duì)于分析和評(píng)估它們對(duì)電路和系統(tǒng)性能的影響是必要的。 帶隙比硅的 1.1 eV 更寬...

2022-08-03 標(biāo)簽:晶體管功率模塊碳化硅 691 0

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2112 0

實(shí)現(xiàn)牽引逆變器中碳化硅的電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程擴(kuò)展

實(shí)現(xiàn)牽引逆變器中碳化硅的電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程擴(kuò)展

更復(fù)雜的是,更大的電動(dòng)汽車電池尺寸可以延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并消除消費(fèi)者的續(xù)航焦慮,同時(shí)可能會(huì)提高電動(dòng)汽車的價(jià)格——電池占最終車輛成本的 25% 以上。

2022-08-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器碳化硅 1299 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與未來展望

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與未來展望

碳化硅 (SiC) 是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造用于高壓應(yīng)用的功率器件,例如電動(dòng)汽車 (EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率...

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1904 0

邁出邁向更可持續(xù)未來的第一步

邁出邁向更可持續(xù)未來的第一步

更綠色的未來已成為我們這個(gè)星球最重要的目標(biāo)之一。隨著全球人口的增加,對(duì)新能源方法的需求正在推動(dòng)更具可持續(xù)性。為了減緩氣候變化的影響,我們必須將排放量減少...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅可再生能源 1168 0

Qorvo 收購(gòu) UnitedSiC,擴(kuò)大電力電子業(yè)務(wù)范圍

Qorvo 收購(gòu) UnitedSiC,擴(kuò)大電力電子業(yè)務(wù)范圍

通過收購(gòu) SiC 功率半導(dǎo)體公司 UnitedSiC,Qorvo 已將其影響力擴(kuò)展到快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車 (EV)、工業(yè)電源控制、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅Qorvo 742 0

一家全新的碳化硅創(chuàng)新公司

一家全新的碳化硅創(chuàng)新公司

正海集團(tuán)與羅姆已同意組建合資公司,創(chuàng)建新的功率模塊公司。新公司名為“HAIMOSIC”,將于2021年12月在中國(guó)成立,正海集團(tuán)旗下的上海正海半導(dǎo)體科技...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1122 0

碳化硅和氮化鎵:兩種半導(dǎo)體的故事

碳化硅和氮化鎵:兩種半導(dǎo)體的故事

在過去的幾十年中,全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1142 0

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...

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基本半導(dǎo)體為客戶開發(fā)具有兼容性汽車級(jí)碳化硅功率模塊

為提升新能源汽車整體性能,全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊,碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率,在降低電池...

2022-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅基本半導(dǎo)體 1388 0

如何大幅提高Wolfspeed系統(tǒng)的整體可靠性

相對(duì)于傳統(tǒng)硅(Si)元器件,碳化硅(SiC)技術(shù)的性能得到全面提升,包括:更低的功率損耗、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更高的功率密度、更高的整體效率。

2022-08-01 標(biāo)簽:碳化硅SiC功率模塊Wolfspeed 1100 0

瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1...

2022-08-01 標(biāo)簽:變換器電壓碳化硅 4180 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

國(guó)際能源署(IEA)估計(jì),電機(jī)功耗占世界總電力的45%以上。因此,找到最大化其運(yùn)行能效的方法至關(guān)重要。能效更高的驅(qū)動(dòng)裝置可以更小,并且更靠近電機(jī),從而減...

2022-08-02 標(biāo)簽:二極管電機(jī)驅(qū)動(dòng)器碳化硅 524 0

碳化硅在汽車領(lǐng)域?qū)l(fā)揮怎樣的重要作用

半導(dǎo)體材料從以鍺(Ge)和硅(Si)為代表的第一代到以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代,再到目前熱門的以碳化硅(SiC)、氮化鎵(Ga...

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 2232 0

碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2190 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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