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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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A*STAR微電子研究所和意法半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)電動(dòng)汽車和工業(yè)用碳化硅
在電動(dòng)汽車(EV)和工業(yè)用電力電子設(shè)備中,SiC解決方案的性能表現(xiàn)比傳統(tǒng)硅(Si)基器件更好,而且可以滿足市場對外形尺寸更小或功率輸出更高、工作溫度更...
2021-11-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 994 0
天岳先進(jìn)2024年大逆襲!凈賺1.8億元,碳化硅需求爆發(fā)
(電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道)近期,專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的天岳先進(jìn)公布了公司2024年年報(bào)。報(bào)告期內(nèi),天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入17.68元,同...
2025-02-25 標(biāo)簽:碳化硅 993 0
又有車規(guī)SiC大單,助力理想汽車800V平臺(tái)
理想汽車致力于為家庭用戶提供超預(yù)期的豪華電動(dòng)車。本次與 ST 的 SiC 供貨協(xié)議簽署印證了理想汽車開發(fā)純電動(dòng)車產(chǎn)品的堅(jiān)定決策。
Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司
Qorvo今天宣布,已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。
2021-11-04 標(biāo)簽:電動(dòng)車充電器功率半導(dǎo)體碳化硅 993 0
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長碳...
科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作
2024年3月27日,科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。
萬年芯:三代半企業(yè)提速,碳化硅跑步進(jìn)入8英寸時(shí)代
英飛凌于近期宣布,其位于馬來西亞的新晶圓廠正式進(jìn)入第一階段建設(shè),該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的8英寸碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠。無獨(dú)有偶,安...
2024-08-16 標(biāo)簽:晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體 990 0
關(guān)于硅基 IGBT,碳化硅 MOSFET 在此應(yīng)用中也提供更好的性能:效率提高 2% 以上,功率密度增加 33%,系統(tǒng)成本更低,組件更少。
2022-08-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電器碳化硅 989 0
三菱電機(jī)和安世半導(dǎo)體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體
11月13日, 三菱電機(jī)株式會(huì)社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(Si...
2023-11-14 標(biāo)簽:三菱電機(jī)SiC功率半導(dǎo)體 989 0
一段時(shí)間內(nèi),中國大陸芯片企業(yè)將不得不依靠外國技術(shù)來制造新一代芯片。
2023-06-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 988 0
碳化硅晶片制備技術(shù)與國際產(chǎn)業(yè)布局
碳化硅晶片薄化技術(shù),碳化硅斷裂韌性較低,在薄化過程中易開裂,導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實(shí)現(xiàn)。
碳化硅襯底產(chǎn)品通過外延和核心器件企業(yè),制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。
創(chuàng)“芯”驅(qū)動(dòng),引領(lǐng)未來——青銅劍科技成功參展PCIM Asia
6月28日,為期三天的2018 PCIMAsia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)正式閉幕。這場電力電子行業(yè)盛宴吸引了行業(yè)內(nèi)的諸多關(guān)注,青銅劍科技再...
2018-07-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 986 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布新一代650V MPS? SiC碳化硅二極管
這款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS)二極管采用獨(dú)特的PiN-Schottky結(jié)構(gòu),提供低內(nèi)置電壓偏置(低門檻電壓)以實(shí)現(xiàn)在各種負(fù)載條件下的最高...
2023-05-12 標(biāo)簽:功率二極管碳化硅納微半導(dǎo)體 985 0
Wolfspeed SiC TOLL MOSFET榮獲2022年全球電子成就獎(jiǎng)
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 針對高性能電力電子應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì),適合企業(yè) / 服務(wù)器 / 通信電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、電池...
日立(HITACHI)耐高壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)/碳化硅(SiC)模塊
耐高壓SiCIGBT模塊是一種集成了碳化硅(SiC)材料和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的電力電子器件。SiC材料因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率,能夠在...
2022年3月,昕感科技完成超億元A輪融資,由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投,博裕資本、水木清華校友基金、海南贏璽投資有限公司、北京锎瀾投資管理有限公司參與融資。融資主要...
碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。本章將討論Si...
SiC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),有著優(yōu)良的熱導(dǎo)率,是GaN基的理想襯底材料。SiC襯底加工技術(shù)已然成為器件制作的重要基礎(chǔ),其表面...
2023-08-04 標(biāo)簽:SiC電源系統(tǒng)碳化硅 981 0
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