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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造
來(lái)源:碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到,可是這只是具備了獲...
文章來(lái)源:PowerElectronicsNews在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料,但1891年碳化硅(Si...
作者簡(jiǎn)介作者:UweJansen翻譯:陳子穎在過(guò)去的幾年里,碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件,特別是SiCMOSFET,已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化...
光隔離探頭助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問(wèn)題
作為功率半導(dǎo)體廠商,為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說(shuō),作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計(jì)好芯片,還要親自設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很多應(yīng)用方案供下游客...
2023-03-13 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)氮化鎵GaN 1336 0
貞光科技深耕汽車(chē)電子、工業(yè)及軌道交通領(lǐng)域十余年,為客戶提供車(chē)規(guī)MCU、車(chē)規(guī)電容、車(chē)規(guī)電阻、車(chē)規(guī)晶振、車(chē)規(guī)電感、車(chē)規(guī)連接器等車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品和汽車(chē)電子行業(yè)解決方...
2023-01-04 標(biāo)簽:碳化硅 1324 0
學(xué)技術(shù) | 世平安森美碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品的特性與應(yīng)用
一、第三代半導(dǎo)體介紹:首先簡(jiǎn)單介紹一下第一、二代半導(dǎo)體。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中,第一代半導(dǎo)體是「硅」(Si),第二代半導(dǎo)體是「砷化鎵」(GaAs),第三代半...
5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用...
2022-01-06 標(biāo)簽:碳化硅 1304 0
10.3 器件性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
10.3器件性能比較10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計(jì)第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)A...
2022-04-11 標(biāo)簽:碳化硅 588 0
11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
11.1電力電子系統(tǒng)的介紹第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPG...
2022-04-14 標(biāo)簽:碳化硅 724 0
10.1.6 浮空?qǐng)霏h(huán)(FFR)終端∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
10.1.6浮空?qǐng)霏h(huán)(FFR)終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》...
2022-04-07 標(biāo)簽:碳化硅 1057 0
10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計(jì)第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)...
2022-04-11 標(biāo)簽:碳化硅 564 0
9.3.1 正向?qū)J健省短蓟杓夹g(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
9.3.1正向?qū)J剑?3晶閘管第9章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP...
2022-03-30 標(biāo)簽:碳化硅 462 0
9.3.5 di/dt的限制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
9.3.5di/dt的限制9.3晶閘管第9章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPG...
2022-03-30 標(biāo)簽:碳化硅 519 0
6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本...
2021-12-31 標(biāo)簽:碳化硅 1422 0
10.2.1 垂直漂移區(qū)(SM)JTE∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
10.2.1垂直漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計(jì)第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)...
2022-04-09 標(biāo)簽:碳化硅 535 0
ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureR...
2022-03-04 標(biāo)簽:碳化硅SiC MOSFET 1283 0
6.2.1 反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷...
2021-12-31 標(biāo)簽:碳化硅 1594 0
10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
10.1.1碰撞電離和雪崩擊穿10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理...
2022-04-02 標(biāo)簽:碳化硅 778 0
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