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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅芯片正在占領(lǐng)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)
在純電動(dòng)汽車(chē)的眾多電子系統(tǒng)中,功率電子設(shè)備是核心所在,而半導(dǎo)體在其能源管理中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,確保能源的高效使用。由碳化硅制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率...
半導(dǎo)體晶圓片切割刃料的制備是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程,以下是一種典型的制備方法: 一、原料準(zhǔn)備 首先,需要準(zhǔn)備高純度的原料,如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具...
SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級(jí)的技術(shù)革新
在“雙碳”目標(biāo)推動(dòng)下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開(kāi)關(guān)頻率,難以滿(mǎn)足高效、高頻、高溫場(chǎng)景的嚴(yán)苛要求。碳化硅...
萬(wàn)億碳化硅市場(chǎng)背后的隱形冠軍:納米銀燒結(jié)材料國(guó)產(chǎn)化提速
當(dāng)新能源汽車(chē)的續(xù)航里程突破1000公里、800V高壓快充成為標(biāo)配,SiC功率器件正悄然重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。在這場(chǎng)技術(shù)革命背后,一種名為“納米銀燒結(jié)”...
2025-05-17 標(biāo)簽:碳化硅 8873 0
基本半導(dǎo)體亮相2025上海國(guó)際充換電與光儲(chǔ)充展覽會(huì)
此前,5月14-16日,2025第四屆上海國(guó)際充換電與光儲(chǔ)充展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng):CPSE上海充換電展)在上海汽車(chē)會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率...
安世半導(dǎo)體Nexperia 2024年財(cái)報(bào):營(yíng)收20.6億美元,市場(chǎng)份額從2023年的8.9%提升至9.7%
安世半導(dǎo)體近日公布了2024財(cái)年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。在宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)不確定和市場(chǎng)周期性疲軟的背景下,公司展現(xiàn)出強(qiáng)大的抗風(fēng)險(xiǎn)能力,通過(guò)強(qiáng)化執(zhí)行力和堅(jiān)持創(chuàng)新投入,實(shí)現(xiàn)了...
IPAC碳化硅直播季倒計(jì)時(shí)丨溝槽柵VS平面柵,孰是王者?
直播時(shí)間:5月20日14:00直播主題:溝槽柵VS平面柵,孰是王者?立即掃碼報(bào)名吧!直播間不定時(shí)會(huì)有禮品掉落,速速掃碼預(yù)約!520碳化硅首場(chǎng)直播,帶你直...
納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿(mǎn)足最嚴(yán)苛汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅納微半導(dǎo)體 414 0
英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)
本文是按照2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應(yīng)用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行...
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 65...
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車(chē)規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 6673 0
近日,PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025,在德國(guó)紐倫堡迎來(lái)展會(huì)首日盛況。本屆展會(huì)聚焦電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源...
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車(chē)用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 383 0
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門(mén)極驅(qū)動(dòng)解決方案...
2025-05-09 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 403 0
納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)
納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-05-08 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 804 0
英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù),實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電
為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出了新型Coo...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
此前,2025年4月23日至5月2日,第二十一屆上海國(guó)際汽車(chē)工業(yè)展覽會(huì)(Auto Shanghai 2025)在國(guó)家會(huì)展中心(上海)盛大舉行。本屆車(chē)展以...
碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相
在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛...
2025-04-30 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 199 0
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