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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

金屬污染物，如碳化硅表面的銅，不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后，在碳化硅表面沒有形成化學氧化物，這種化學穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金...

2022-09-08 標簽：清洗 RCA 碳化硅 2551 0

碳化硅MOS四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢

瑞森半導體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場和客戶認可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅(qū)...

2022-09-01 標簽：封裝 MOS 引腳 8011 0

用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板

隨著可用的寬帶隙半導體不斷在提高其工作電壓，其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準確地來說，用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個關(guān)鍵的多功能...

2022-09-01 標簽：IGBT 功率模塊碳化硅 852 0

評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性

由于其極低的開關(guān)損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設(shè)備是否是實際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實...

2022-08-09 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1664 0

電動汽車的高效電源管理

電動汽車正變得越來越流行，其在質(zhì)量、功能簡單以及最重要的能源效率方面具有環(huán)保特性。功能推力由電動機驅(qū)動，與內(nèi)燃機相比，其結(jié)構(gòu)簡單。在能效方面，燃油車和電...

2022-08-09 標簽：電動汽車電源管理碳化硅 1092 0

碳化硅MOSFET的可靠有效控制

對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長，以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量，從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應(yīng)...

2022-08-08 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1419 0

碳化硅技術(shù)評估平臺

英飛凌設(shè)計的平臺，旨在通過 TO247 3 和 4 引腳中的 EiceDRIVER IC 和 CoolSiC? MOSFET 突出 SiC 器件的性能。...

2022-08-05 標簽：電源 MOSFET 半導體 924 0

碳化硅功率模塊的建模和驗證

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導通電阻之比是由...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 2476 0

碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢

光伏，電動汽車，儲能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢。

2022-08-01 標簽：功率器件碳化硅瑞能半導體 2940 0

碳化硅和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

晶體結(jié)構(gòu)是通過原子（或離子/分子）組的周期性分布來實現(xiàn)的。理想情況下，考慮到在空間坐標中延伸到無窮大的晶體，周期性轉(zhuǎn)化為平移不變性（或平移對稱性）。因此...

2022-07-29 標簽：晶體氮化鎵碳化硅 9326 0

SiC MOSFET發(fā)展趨勢與解決方案

毫無疑問，所謂的第三代寬禁帶半導體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力，在過去五年中，汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗場。基于 SiC 的傳動系統(tǒng)逆變器——將來...

2022-07-29 標簽：MOSFET 功率器件碳化硅 1392 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標簽：MOSFET JFET 功率器件 2577 0

分析寬帶隙半導體的計算模型

了解半導體價帶和導帶的形成機制對于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實驗數(shù)據(jù)進...

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下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測試

在當今這一代，電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而，隨著半導體行業(yè)的...

2022-07-29 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 2746 0

用于電力電子設(shè)計的高性能SiC MOSFET技術(shù)

一個合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求，而無需對處理和布局進行重大更改。然而，關(guān)鍵性能指標仍將是所選設(shè)備概念的低面積...

2022-07-28 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1927 0

用于高效、緊湊、可靠系統(tǒng)的轉(zhuǎn)向SiC MOSFET

車輪之于駕駛員，Sic MOSFET 之于工程師和設(shè)計師。當駕駛員掌握了車輛的車輪時，移動和導航地形變得容易。這適用于晶體管的處理，晶體管是工程師和設(shè)計...

2022-07-27 標簽：MOSFET 晶體管碳化硅 483 0

碳化硅在電動汽車的應(yīng)用方案

碳化硅 (SiC) 是一項創(chuàng)新技術(shù)，將在許多應(yīng)用中取代硅 (Si)。將 SiC 用于電動汽車 (EV) 的想法誕生于努力提高此類車輛的效率和續(xù)航里程，同...

2022-07-27 標簽：電動汽車英飛凌碳化硅 2844 0

高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能

本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開關(guān)速度的應(yīng)用。然而，它特別適合用于音頻...

2022-07-25 標簽：JFET SiC 碳化硅 2266 0

車載充電機OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

車載充電機（On-Board Charger，簡稱為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機，給車載動力電池進行慢...

2022-07-20 標簽：SiC 碳化硅 OBC 3760 0

安森美應(yīng)用于UPS的SiC方案

隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源(UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計人員面臨...

2022-07-12 標簽：UPS SiC 碳化硅 776 0

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