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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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GaN:由鎵(原子序數 31) 和氮(原子序數 7) 結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。
電機碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作電機的技術,它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數等,來提高電機的效率、耐久性和可靠性,從...
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)是一種單極型器件,采用結勢壘肖特基二極管結構(JBS),因此相比于傳統的硅快恢復二極管(SiFRD),碳化硅肖特基二極...
相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢,隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后,更多的企業也開始落地碳化硅產品。
作為金屬脫氧劑,碳化硅脫氧劑是一種新型的強復合脫氧劑,取代了傳統的硅粉碳粉進行脫氧,各項理化性能穩定,脫氧效果好,時間縮短,提高煉鋼效率,提高鋼的質量,...
SiC 晶體中不同類型的位錯通常是根據腐蝕坑的形貌和尺寸來完成定量分析的。如圖 7(a)所示, 大六邊形沒有底部的腐蝕坑代表 MP,中六邊形有底部的腐蝕...
碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度...
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