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標(biāo)簽 > 硅半導(dǎo)體
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光電共封裝技術(shù)CPO的演變與優(yōu)勢(shì)
光電封裝技術(shù)經(jīng)歷了從傳統(tǒng)銅纜到板上光學(xué),再到2.5D和3D光電共封裝的不斷演進(jìn)。這一發(fā)展歷程展示了封裝技術(shù)在集成度、互連路徑和帶寬設(shè)計(jì)上的持續(xù)突破。未來...
利用硅半導(dǎo)體技術(shù)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器
市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)和開發(fā)歷程 近年來,隨著智能手機(jī)等設(shè)備的功能增加和性能提升,對(duì)小型、薄型且支持高密度安裝的電容器的需求日益增加。特別是采用薄膜半導(dǎo)體技術(shù)的硅...
2024-08-09 標(biāo)簽:電容器半導(dǎo)體技術(shù)Rohm 1.8萬(wàn) 1
晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn),納米片F(xiàn)ET可能會(huì)取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣,正在評(píng)估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化,此舉將重新...
化學(xué)鍍鎳和銅工藝的應(yīng)用對(duì)導(dǎo)體和絕緣體的金屬化技術(shù)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。印刷電路工業(yè)實(shí)際上是建立在無電鍍銅以不均勻的金屬厚度覆蓋絕緣體和導(dǎo)體的能力上的;同時(shí),...
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