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硅二極管

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　　硅二極管死區(qū)電壓約0.5伏，鍺的0.1伏，正向壓降硅0.6~0.7伏，鍺0.2~0.3伏，硅反向電流小，耐壓高，鍺相反。

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硅二極管技術

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