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      標簽　>　相變化內(nèi)存

      相變化內(nèi)存

      +關(guān)注 0人關(guān)注

      　　相變化內(nèi)存簡稱PCM， PRAM， PCRAM， CRAM，又譯為相變位內(nèi)存，是一種非易失性存儲器裝置。

      文章： 1 個
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      相變化內(nèi)存簡介

      　　PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，主流為GeSbTe系合金。硫?qū)俨ＡУ奶匦允牵?jīng)由加熱可以改變它的狀態(tài)，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態(tài)具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數(shù)值。 它是未來可能取代快閃存儲器的技術(shù)之一。

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      相變化內(nèi)存技術(shù)

      相變化內(nèi)存原理分析及設計使用技巧

      相變化內(nèi)存原理分析及設計使用技巧

      　　相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動。這項技術(shù)集當今揮發(fā)性內(nèi)存和非...

      2010-11-01 標簽：相變化內(nèi)存 1029 0

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      相變化內(nèi)存資訊

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      相變化內(nèi)存數(shù)據(jù)手冊

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      • 云儲存
        云儲存
        +關(guān)注
        云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應用技術(shù)等內(nèi)容。
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        富士通
        +關(guān)注
        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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        +關(guān)注
        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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        江波龍
        +關(guān)注
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        非易失性存儲器
        +關(guān)注
        非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
      • LPDDR4
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        +關(guān)注
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        合肥長鑫
        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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        +關(guān)注
        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        +關(guān)注
        NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當于通訊協(xié)議中的應用層）
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        　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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        +關(guān)注
        　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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        云盤
        +關(guān)注
        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
      • FORESEE
        FORESEE
        +關(guān)注
        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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        USB 3.0接口
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      • 長鑫存儲
        長鑫存儲
        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
      • Ceph
        Ceph
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