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標(biāo)簽 > 電子器件
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數(shù)控衰減器是一種電子器件,用于控制信號的強度或功率。它的作用原理基于電阻的變化。
2023-07-04 標(biāo)簽:控制電路電子器件數(shù)控衰減器 2278 0
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...
有源逆變是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的技術(shù),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。 一、有源逆變基本原理 1.1 有源逆變的概念 有源逆變是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流...
推挽膽機與單端膽機的聲音區(qū)別是一個復(fù)雜且深入的話題,涉及到電子管(膽機)的工作原理、聲音特性以及音樂欣賞等多個方面。 1. 電子管(膽機)的基本原理 電...
引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 2215 0
基于二維材料的電子器件展現(xiàn)出巨大潛力,這些材料具有極低的剛度和幾乎為零的內(nèi)應(yīng)力,或許能夠完全擺脫傳統(tǒng)剛性三維材料在三維異質(zhì)集成技術(shù)中的物理限制。
整流輸出的電壓與直流電的區(qū)別是一個復(fù)雜且深入的話題,涉及到電力電子學(xué)、電路理論、電磁學(xué)等多個領(lǐng)域。 整流輸出電壓的基本概念 整流輸出電壓是指通過整流器將...
碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2127 0
寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度(Eg>2.3eV)的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)...
2024-07-31 標(biāo)簽:激光器電子器件半導(dǎo)體材料 2121 0
任何電子器件的使用壽命均取決于其工作溫度。在較高溫度下器件會加快老化,使用壽命會縮短。但某些應(yīng)用要求電子產(chǎn)品工作在器件最大額定工作結(jié)溫下。以石油天然氣產(chǎn)...
理想運算放大器(Ideal Operational Amplifier,簡稱Op-Amp)是一種具有高增益、高輸入阻抗、低輸出阻抗等特性的電子器件,廣泛...
異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩...
第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點,能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝,在新一代高...
基于此,北京科技大學(xué)研究團(tuán)隊開發(fā)出一種基于絲素蛋白的可拉伸、可降解且具有可修復(fù)性和抗凍性的MXene/絲素納米復(fù)合導(dǎo)電纖維(Ca@MSNFs),該導(dǎo)電纖...
集成運算放大器(Integrated Operational Amplifier,簡稱OP-AMP)是一種常用的電子器件,在電路設(shè)計和信號處理中起到關(guān)鍵...
磁保持繼電器驅(qū)動芯片是一種用于控制磁保持繼電器的電子器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、智能家居、汽車電子等領(lǐng)域。 一、磁保持繼電器驅(qū)動芯片的作用 概述 磁保持...
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