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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目落戶嘉興科技城 總投資25億元
11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉...
耐威科技擬在青島投資建設(shè)氮化鎵晶圓制造項目 利于公司在第三代半導體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局
11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱，其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議，擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項目。
遼寧百思特達氮化鎵項目正式開工建設(shè) 總投資達15億元
據(jù)盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)報道，近日，遼寧百思特達半導體科技有限公司氮化鎵項目正式開工建設(shè)，這距離該項目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個月時間。
2019-11-05 標簽：氮化鎵 6844 0
Anker新品發(fā)布會上推出多款充電周邊產(chǎn)品
10月24日下午消息，Anker安克創(chuàng)新在紐約舉辦2019年新品發(fā)布會，發(fā)布了多款充電周邊產(chǎn)品。
重度依賴手機已經(jīng)成為一種社會常態(tài)，很多人每天打開屏幕的次數(shù)不下百次。這讓無數(shù)人患上了“電量焦慮”，插上充電器的那一刻才能得以平息。雖然每天都在用充電器，...
貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動器 高頻應用的好選擇
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動器，經(jīng)過特別設(shè)計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達成全球分銷協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...
OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無線VOOC閃充 技術(shù)亮點全揭曉！
2019年9月17日，OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無線VOOC閃充。據(jù)O...
耐威科技第三代半導體材料制造項目正式投產(chǎn) 將打造世界級氮化鎵材料公司
9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，公司控股子公司聚能晶源（青島）半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）投資建設(shè)...
聚力成半導體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進一步推動國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展
重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示，近日，聚力成半導體（重慶）有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。
氮化鎵（GaN）作為半導體第三代材料，近年來高頻進入業(yè)界視野。各大IC廠商先后涉足氮化鎵領(lǐng)域，源由氮化鎵的寬禁帶、高擊穿電壓、大熱導率等特性，確立了其在...
DC/DC 轉(zhuǎn)換器中半導體器件的高頻開關(guān)特性是主要的傳導和輻射發(fā)射源。本文章系列 的第 2 部分回顧了 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的差模 （DM） 和共模 （C...
2019-09-14 標簽：轉(zhuǎn)換器半導體氮化鎵 2079 0
新的氮化鎵IC產(chǎn)品將進一步鞏固PI的優(yōu)勢地位
這款產(chǎn)品的發(fā)布日期專門選在了PI二季度財報當天，足見該技術(shù)對PI未來的重要性。PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示：“在實現(xiàn)高效率...
氮化鎵市場需求有望在5G時代迎來爆發(fā)式增長 我國多家企業(yè)積極布局
日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點關(guān)注。
用于太陽光紫外線指數(shù)檢測領(lǐng)域的紫外線傳感器
紫外線指數(shù)是指當太陽在天空中的位置最高時（一般是在中午前后，即從上午十時至下午三時的時間段里），到達地球表面的太陽光線中的紫外線輻射對人體皮膚的可能損傷...
關(guān)于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應用
對于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應用場效應板來解決的。當然，模型開發(fā)出來后，需要和真正的器件進行對比，比如用于PA和功率轉(zhuǎn)換等。
2019-09-08 標簽：數(shù)據(jù)功率氮化鎵 6971 0
成都電子科技大學團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進節(jié)點方面，Negative Capacitance FET ...
關(guān)于GaN和LDMOS的關(guān)系 和未來的發(fā)展
如在S波段及以上，SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇，而介于兩者之間的話，主要挑戰(zhàn)就是平衡成本與性能，這方面做起來很難。下圖總結(jié)了三種晶體管的優(yōu)缺...
司擁有國際先進的德國愛思強MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測系統(tǒng)、可靠性測試系統(tǒng)和應用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，...
根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導體器件市場2023年全球預測”稱，氮化鎵器件市場預計將從2016年的165億美元，增長至2...
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