用于電氣化的下一代 GaN

氮化鎵是未來節(jié)能電動汽車和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學(xué)的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機構(gòu)Rise 測試平臺 ProNano開發(fā)...

2022-07-29 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體氮化鎵 545 0

碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體

不久前，SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的，但到了2018年，這些技術(shù)的優(yōu)勢開始被應(yīng)用到現(xiàn)實生活中。這項新技術(shù)成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...

2022-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC氮化鎵 1230 0

軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升

現(xiàn)在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求，這讓這兩個行...

2022-07-28 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 3740 0

GaN FET解決方案

我們發(fā)現(xiàn)機架式電源對電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場中，他們只需要越來越高的效率，所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過 90%，這讓您進(jìn)入鈦...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET整流器氮化鎵 876 0

太空任務(wù)中的eGaN晶體管泊位

氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長期存在并未結(jié)束，它憑借其功率晶體管進(jìn)入太空，這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。E...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源MOSFET氮化鎵 953 0

采用 GaN 技術(shù)的快速充電器

氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源氮化鎵GaN 1537 0

投資者投資無人機、機器人無線充電

WiBotic是一家設(shè)計和制造無人機和機器人電池充電解決方案的公司，獲得了投資者的信任。這家成立 4 年的初創(chuàng)公司已獲得 570 萬美元的 A 輪融資。...

2022-07-27 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器機器人氮化鎵 1900 0

GaN為高效功率器件鋪平了道路

由于其化學(xué)物理特性和高度可靠的制造工藝，硅 （Si） 多年來一直是制造無源和有源電子元件最常用的半導(dǎo)體。MOSFET 和 IGBT 技術(shù)的引入也使得 S...

2022-07-26 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1282 0

在1:5CW轉(zhuǎn)換器中具有N相和分相時鐘的GaN FET開關(guān)

本文將討論三個貢獻(xiàn)。它將通過對 N 相切換和分相切換方案進(jìn)行比較并突出它們的優(yōu)勢來初步分析它們。對于小負(fù)載，N 相方案效率更高，而分相方案適用于較重的負(fù)...

2022-07-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電感器氮化鎵 591 0

下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT

納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...

2022-07-26 標(biāo)簽：氮化鎵HEMT 1494 0

數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU

數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器，每個都配備中央處理單元 （CPU）、圖形處理單元 （GPU） 和能夠存儲大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存，因此需要增加功率。為了支持...

2022-07-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1550 0