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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc...
2023-02-03 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 2401 0
氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當(dāng)前發(fā)展最成款的競(jìng)禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國(guó)對(duì)氮化鎵的研究重視,美歐日等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大...
2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 1496 0
氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表,是5G時(shí)代的主要材料,其中氮化鎵(GaN)和碳化...
2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 2570 0
氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展,相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)...
2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 1150 0
什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族...
2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 3160 0
麥科信OIP系列光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之——助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問題
作為功率半導(dǎo)體廠商,為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說,作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計(jì)好芯片,還要親自設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很多應(yīng)用方案供下游客...
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...
本實(shí)驗(yàn)通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn),采用物理氣相傳輸(physical...
氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為3.4eV,對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm,對(duì)可見光無響應(yīng),克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見光有強(qiáng)烈響應(yīng),且紫外靈...
SGM48520榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)
SGM48520 是一款單通道低邊氮化鎵(GaN)晶體管驅(qū)動(dòng)器,獨(dú)立可配置的開通和關(guān)斷驅(qū)動(dòng)通道,具有最大 6A 拉電流和 4A 灌電流的輸出能力。芯片集...
Micsig光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化鎵GaN半橋上管測(cè)試
來自客戶的光隔離探頭實(shí)測(cè)對(duì)比 ? 自泰克光隔離探頭推出市場(chǎng)以來,由于其手機(jī)大小的體積、最高近30萬人民幣的天價(jià)和宣傳中近乎完美的共模抑制比指標(biāo),在新興的...
近些年,輕量化、低成本和小型化的曲率傳感器在呼吸監(jiān)測(cè)、關(guān)節(jié)角度評(píng)估和運(yùn)動(dòng)頻率測(cè)量等人體運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)領(lǐng)域廣受關(guān)注。尤其是基于光纖的曲率傳感器,因其成本低、耐腐...
您的工作是否涉及有源/無源微電子電路和設(shè)計(jì)?如果涉及,您可能非常了解高溫會(huì)對(duì)這些器件產(chǎn)生哪些不利影響。高工作溫度會(huì)導(dǎo)致性能下降,服務(wù)壽命縮短。因此,工程...
據(jù)了解,市場(chǎng)上的65W快充產(chǎn)品可能的BOM表有電源控制芯片、升降壓轉(zhuǎn)換器、快充協(xié)議芯片、變壓器、光耦、二極管、三極管、MOS管、整流橋、電阻、電感、電容...
? 全球繼電器銷售額呈現(xiàn)整體增長(zhǎng)趨勢(shì),主要得益于汽車、家用電器、工業(yè)控制等傳統(tǒng)下游市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng),以及新能源、人工智能(AI)、智能制造等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)...
碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍
與硅相比,SiC和GaN(不僅作為寬帶隙半導(dǎo)體,而且作為材料本身)在品質(zhì)因數(shù)(εμeEc3)方面顯示出其出色的性能水平:SiC高440倍,GaN高1130倍。
氮化鎵(GaN)如何應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)和可持續(xù)性挑戰(zhàn)
為了提高采用率,電動(dòng)汽車必須提供安全性和便利性,在這種情況下,這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時(shí)間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...
2022-12-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車DC-DC氮化鎵 1719 0
120W氮化鎵充電器拆解對(duì)比:看國(guó)產(chǎn)芯片如何征服大廠
因?yàn)檫@兩個(gè)充電器呢都是PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu),因此我們可以對(duì)應(yīng)著相同功能部分來對(duì)比。先看一些被動(dòng)元器件,像保險(xiǎn)絲,NTC浪涌抑制電阻,安規(guī)電容,...
Ganvix與BluGlass合作開發(fā)基于GaN的綠光VCSEL
與此同時(shí),總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發(fā)一種稱為遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(RPCVD)的新型沉積技術(shù),其不同于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCV...
研究機(jī)構(gòu):“全球碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到18.4億美元,2025年會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng)到52.9億美元”。那么什么是半導(dǎo)體?
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