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      標簽　>　氮化鎵

      氮化鎵

      氮化鎵

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      氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。

      文章：1547個 瀏覽：117403次 帖子：76個

      氮化鎵資訊

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      2023-02-14 標簽：氮化鎵發光器件功率晶體管 776 0

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      2023-02-10 標簽：新能源氮化鎵電池 1146 0

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      許多由氮化鎵（也稱為GaN）制成的的東西正在電力電子領域發生變化。今天，您可以購買帶有足夠電量的小型USB-C充電器，它可以同時為您的筆記本電腦、手機和...

      2023-02-08 標簽：氮化鎵GaNUSB-C 1022 0

      氮化鎵半導體技術制造

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      氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成...

      2023-02-07 標簽：芯片設計半導體材料氮化鎵 1851 0

      硅基氮化鎵技術成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優缺點

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      硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長...

      2023-02-06 標簽：半導體技術氮化鎵硅基氮化鎵技術 3996 0

      什么是硅基氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區別

      什么是硅基氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區別

      　硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施...

      2023-02-06 標簽：氮化鎵半導體制造碳化硅 5755 0

      氮化鎵前景怎么樣啊 氮化鎵用途有哪些方面

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      2023-02-06 標簽：功率器件氮化鎵射頻器件 3347 0

      納微關于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況

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      2023-02-06 標簽：氮化鎵功率芯片 794 0

      氮化鎵充電器的主要優點和缺點

      　　第三代半導體具有較高的熱導率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛星、汽車、雷達、工業、...

      2023-02-05 標簽：電源半導體氮化鎵 2.0萬 0

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      非極性氮化鎵基半導體研究

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      　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

      2023-02-05 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 1967 0

      氮化鎵芯片市場份額分析 氮化鎵（GaN）半導體器件分類

      中國氮化鎵芯片市場占據全球約 %的市場份額，為全球最主要的消費市場之一，且增速高于全球。2021年市場規模約 億元，2017-2021年年復合增長率約為 %。

      2023-02-05 標簽：功率器件氮化鎵 4513 0

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      氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導體材料，許多特性都比傳統硅基半導體更強。

      2023-02-05 標簽：功率器件氮化鎵開關器件 2.3萬 0

      碳化硅與氮化鎵器件的應用優勢

      　　幾十年來，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復合半導體已經開發出來，具有獨特的優勢和優越的財產。例如，利用化合物半導體，開發了...

      2023-02-05 標簽：半導體氮化鎵碳化硅 633 0

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