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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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整理了市面上發售的氮化鎵GaN 充電器產品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產品（QR／ACF＋N...
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內。這個封裝增加了一個大的冷卻片，用于降低封裝的熱...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應用電路圖...
采用NV611X系列氮化鎵（GaN）進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項
介紹 GaN功率集成電路提供超低電容，優良的開關特性，低RDS（ON），封裝在一個小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作，并支持高密度電源...
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的...
多數電源應用必須減少電磁干擾 （EMI） 以滿足相關要求，系統設計人員必須嘗試各種方法來減少傳導和輻射發射。
隨著技術的發展，終端設備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，特別是隨著5G的即將到來，也進一步推動了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材...
電子工業正在盡可能地將硅最大化應用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導熱性能較差，但其...
許多廠商都提供了門驅動芯片，這些芯片是十分有價值的，允許用戶為選定的GaN器件、轉換速度和其他因素進行調節。在這些驅動芯片中，來自TI的LMG1205可...
GaN在成本控制方面顯示出了更強的潛力。目前主流的GaN技術廠商都在研發以Si為襯底的GaN的器件，來替代昂貴的SiC襯底。有分析預測，到2019年Ga...
自從20年前第一批商用產品問世，GaN在射頻功率應用領域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN...
德州儀器的默認過流保護方法被歸類為“電流鎖存”保護；這意味著，若在器件中檢測到任何過流故障，FET將安全關斷，并在故障復位前保持關斷狀態。在我們的70m...
觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業務部門總經理）的訪談，了解氮化...
FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術發展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結晶的方法獲得。密度...
而GaN技術可以做到，因為它是目前全球最快的功率開關器件，并且可以在高速開關的情況下仍保持高效率水平，能夠應用于更小的元件，應用于充電器時可以有效縮小產...
高通公司總裁 Cristiano Amon 在2018 高通 4G / 5G 峰會上表示：預計明年上半年和年底圣誕新年檔期將會是兩波 5G 手機上市潮，...
雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實調制了漏極電流（高達1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據模擬，夾斷發生在-112V左右。將其放在一位數范圍內需要縮小...
華南師范大學和北京大學在（100）硅上開發了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導體 - 金屬（MSM）探測器。
與傳統的金屬氧化物（LDMOS）半導體相比，硅基氮化鎵的性能優勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數，從而降低整體...
輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達14V，而不考慮VDD軌電壓。同時，在高側/低側的應用中，低傳播延遲和軌到軌的時鐘傾斜對效率也是至關重要...
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