氮化鎵和碳化硅的對比

氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅微電子器件 1.1萬 0

氮化鎵屬于什么晶體，GaN材料具有哪些優(yōu)勢

　　氮化鎵（氮化鎵）是一種半導(dǎo)體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點(diǎn)是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...

2023-02-13 標(biāo)簽：晶體管電子器件氮化鎵 5677 0

氮化鎵技術(shù)概念股

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...

2023-02-13 標(biāo)簽：激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3089 0

氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 3652 0

硅基氮化鎵的特性及其應(yīng)用有哪些？

在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。

2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率放大器氮化鎵 949 0

誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？

氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 1518 0

氮化鎵材料為什么如此昂貴？

可換成氮化鎵就不一樣了，單車變轎車，開關(guān)頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...

2023-02-11 標(biāo)簽：充電器電感氮化鎵 2574 0

氮化鎵技術(shù)在電源行業(yè)的應(yīng)用

氮化鎵（GaN）技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時(shí)，這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢正...

2023-02-10 標(biāo)簽：電源充電器氮化鎵 1234 0

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用？

僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是50...

2023-02-10 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 2304 0

硅基氮化鎵是做什么用？

在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...

2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 917 0

氮化鎵充電器和其他快充充電器的區(qū)別是什么？

材質(zhì)上比普通的快充更加的高級(jí)，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢。

2023-02-09 標(biāo)簽：變壓器充電器氮化鎵 4202 0