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標簽 > 柵極
柵極由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發射電子或捕獲二次放射電子的作用。
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SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策
本文的關鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。如果柵極驅動IC沒有驅動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則...
SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關關斷時的柵極-源極間電壓的動作
上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示L...
SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOS...
SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。
SiC MOSFET：橋式結構中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結構
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成：分別是上P下N，以及上N下P。其原理圖如下所示，
在電力電子領域，例如在驅動技術中，IGBT經常用于高電壓和高電流開關。這些功率晶體管是電壓控制的，在開關過程中產生其主要損耗。為了最大限度地降低開關損耗...
迄今為止，Nanodcal 已成功應用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導體電子器件設計等重要研究課題中，并將逐步推...
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...
在一周前看到在公眾號“電機控制設計加油站”的一篇推文，“Why 100Ω? 較真的教授發現簡單結論背后不簡單的問題”（點擊加黑文字可以跳轉到該推文），對...
作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導通抑制電容器來處理。本文將會通過示例來探討正電壓浪涌的對策和其效果。
通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用...
通過漏極控制開關HPA的典型配置如圖1所示。一個串聯FET開啟輸入HPA的高電壓?？刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉換為更高電壓以使串聯FET導通。
四極管種類很多，常見的有：束射四極管，直熱四極管和多子四極管等。四極管，有音色渾厚，具有速度感等特點，實際上純粹意義的四極管只是在電子管的發展史上作為驗...
一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱...
G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強耗盡接法基本一樣。
大量的新節點、半節點，以及在兩者之間的每一個數字的產生正在芯片制造商之造成混淆。雖然大多數人認為有選擇是好事，但大家并不清楚哪個或哪些選擇是上策。該IP...
本文將提出一種獨特但簡單的柵極脈沖驅動電路，為快速開關HPA提供了另一種方法，同時消除了與漏極開關有關的電路。實測切換時間小于200 ns，相對于 1 ...
高介電常數柵電介質和金屬柵極技術(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節點得以延續。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。...
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