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標(biāo)簽 > 柵極

柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術(shù)

7種MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路

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首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化...

2023-04-28 標(biāo)簽:MOSFETMOS管柵極 1.1萬(wàn) 0

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MOSFET是工業(yè)上應(yīng)用最成功的固態(tài)器件,是構(gòu)成高集成度的基本單元,而MOS電容器是MOSFET的核心,理解該電容器的特性是理解MOSFET工作原理的基...

2023-04-17 標(biāo)簽:電容器MOSFETMOS 1.2萬(wàn) 0

IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

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前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺(jué)人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。

2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 3276 0

三極管和MOS管的功能區(qū)別

MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別?這兩種元件本身就可以看作一個(gè)基本單元,一個(gè)獨(dú)立的器件,就算拆開(kāi)外殼,用肉眼也找不出什么差別,從工作原理上理解又謷牙詰...

2023-03-29 標(biāo)簽:三極管原理圖led燈 1041 0

MOS管的米勒效應(yīng):感性負(fù)載

在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的,對(duì)各階段做了定量分析,相信看過(guò)的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來(lái)聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。

2023-03-26 標(biāo)簽:電路負(fù)載MOS管 4742 0

MOSFET特性參數(shù)詳解

任何情況下都不允許超過(guò)的最大值。

2023-03-20 標(biāo)簽:MOSFET封裝參數(shù) 2327 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。

2023-03-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET電路設(shè)計(jì) 742 0

為什么MOSFET柵極前要放一個(gè)100Ω電阻?

為了穩(wěn)定性,必須在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻嗎?

2023-03-13 標(biāo)簽:放大器電阻MOSFET 1470 0

場(chǎng)效應(yīng)管的作用

場(chǎng)效應(yīng)管的作用

  場(chǎng)效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常,場(chǎng)效應(yīng)管的主體與源極端子相連,從而形成三端器件,例如場(chǎng)...

2023-02-27 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 4905 0

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

  MOS管有三個(gè)引腳,分別是,柵極G、源極S、漏極D,這三個(gè)腳,用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳,通過(guò)改變引腳的電平,我們可以直接控制這個(gè)MO...

2023-02-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.5萬(wàn) 0

真空三極管如何工作的?淺談?wù)婵杖龢O管的由來(lái)

大多數(shù)人開(kāi)始使用半導(dǎo)體,并使用所謂的晶體組合作為整流器。

2023-02-21 標(biāo)簽:三極管晶體管柵極 3862 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明

最近看到一個(gè)東芝的MOSFET的文檔,看了下,還不錯(cuò),就把內(nèi)容復(fù)制出來(lái)了,分享給大家看下。

2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET晶體管柵極 3148 0

MOSFET三種放大電路類型的區(qū)分

MOSFET三種放大電路類型的區(qū)分

MOSFET有三個(gè)極,柵極、源級(jí)和漏極,由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種,共源級(jí)放大電路,共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中,共源級(jí)放大電路用的...

2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET放大電路跟隨器 3263 0

IGBT對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用,IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的...

2023-02-16 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路 3354 0

PMOS管和NMOS管的區(qū)別

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  MOS管的管腳:源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)。

2023-02-16 標(biāo)簽:MOS管MOS柵極 7971 0

NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)介紹

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咱們前幾期講的一直是NMOS,導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反,是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...

2023-02-16 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體NMOS 1.2萬(wàn) 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

  功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET,但很少用于耐高壓的功率電路中),如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽:電阻MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2679 0

為什么MOSFET柵極與源極之間要加一個(gè)電阻?

為什么MOSFET柵極與源極之間要加一個(gè)電阻?

為MOSFET提供一個(gè)供電,經(jīng)過(guò)電阻分壓從而得到分壓值,也即所謂的提供一個(gè)偏置電壓。

2023-02-16 標(biāo)簽:電阻ESDMOSFET 4708 0

超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)特性有什么影響

超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)特性有什么影響

新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過(guò)程中溝道具有提前關(guān)斷的特性,因此,它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制,但是,并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...

2023-02-16 標(biāo)簽:柵極功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻 1263 0

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極 2718 0

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