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標簽 > 柵極電壓
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MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個關鍵參...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。在IGBT的應用過程中,吸收電容是一種常見的輔助元件,用于提高系統的穩定性和可...
IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGB...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件,...
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和良好的線性特性,在現代電子電路中扮演著重要角色。然而,由于制造缺陷、環境因素或設計不當,MOS管電路可能會出現故障。 M...
電子管(真空管)是一種電子器件,它利用電子在真空或惰性氣體中的運動來控制電流。電子管在20世紀初至20世紀中期廣泛用于無線電、電視和音響設備中。盡管現代...
場效應晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等...
五極管,也稱為五極真空管或五極電子管,是一種在電子學和無線電工程中使用的電子管。它由五個電極組成:陰極(cathode)、控制柵極(control gr...
ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅動器IC。該器件可實現納秒 (ns) 級的柵極驅動速度,因此非常適合高速 ...
高電壓LTC3892系列控制器縮減了DC/DC轉換器成本和尺寸
LTC3892 系列控制器可以在高輸入/輸出電壓、高功率應用中成功使用。LTC3892 和 LTC3892-1 具備設計全功能型 DC/DC 轉換器所需...
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
HSPICE共源放大電路仿真分析涉及多個方面,包括電路的設計、仿真設置、仿真結果解讀等。以下是一個基于HSPICE進行共源放大電路仿真分析的概述: 一、...
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