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標簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優異電子原料,設計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業。不僅是手機、家電,汽車相關的應用、能源管理系統、醫療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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SBC817-40LT3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; |
獲取價格
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MMBT3906LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
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MMBT3904LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
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MMBT4401LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V; |
獲取價格
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MMBT4403LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; |
獲取價格
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MMBT2222ALT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW; |
獲取價格
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MMBT5551LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW; |
獲取價格
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BC857ALT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V; |
獲取價格
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BC817-16LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價格
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MMBT5551LT3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V; |
獲取價格
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MMBTA06LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW; |
獲取價格
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MMBT5401LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):150V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; |
獲取價格
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MMBT2907ALT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價格
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SMMBT3904LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
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MMBTA42LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V; |
獲取價格
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BC817-16LT3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW; |
獲取價格
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BC846ALT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V; |
獲取價格
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MMBTA56LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價格
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MMBTA06LT3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
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BC848BLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW; |
獲取價格
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MMBTA05LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
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MMBTA92LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):25@30mA,10V; |
獲取價格
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BC857BLT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V; |
獲取價格
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BC848CLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; |
獲取價格
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|
BC847BLT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V; |
獲取價格
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MMBT489LT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):710mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,5V; |
獲取價格
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BC807-16LT3G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW; |
獲取價格
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BC847ALT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V; |
獲取價格
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BC807-40LT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; |
獲取價格
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BC856BLT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V; |
獲取價格
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