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標簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電,汽車相關(guān)的應用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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MJD44H11G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@8A,400mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;特征頻率(fT):85MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MJD45H11G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@8A,400mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;特征頻率(fT):90MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MJD200T4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):45@2A,1V; |
獲取價格
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MJD42CT4G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):6A;功率(Pd):1.75W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V; |
獲取價格
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MJD200G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W; |
獲取價格
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MJD2955T4G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):10A;功率(Pd):1.75W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V; |
獲取價格
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MJD3055T4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):10A;功率(Pd):1.75W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V; |
獲取價格
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MJD350T4G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):15W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):30@50mA,10V; |
獲取價格
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MJD41CT4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):6A;功率(Pd):1.75W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MJD31CT4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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NTD3055-150T4G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):9A;功率(Pd):1.5W;28.8W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,4.5A; |
獲取價格
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NTD5867NLT4G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):20A;功率(Pd):36W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):39mΩ@10V,10A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; |
獲取價格
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NTD4860NT4G |
獲取價格
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NTD5865NLT4G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):46A;功率(Pd):71W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,20A; |
獲取價格
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MJD44H11T4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; |
獲取價格
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FQU20N06LTU | 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-; |
獲取價格
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2SD1628G-TD-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@3A,60mA;特征頻率(fT):120MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SC5964-TD-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):3.5W;集電極截止電流(Icbo):1uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征頻率(fT):380MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SA2016-TD-E | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):7A;功率(Pd):3.5W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):240mV@2A,40mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征頻率(fT):290MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SC5566-TD-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):4A;功率(Pd):1.3W;集電極截止電流(Icbo):1uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@2A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征頻率(fT):360MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SC3647S-TD-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V; |
獲取價格
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2SA2013-TD-E | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):4A;功率(Pd):1.3W;集電極截止電流(Icbo):1uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@2A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征頻率(fT):360MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SA1416S-TD-E | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):500mW; |
獲取價格
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2SC3646S-TD-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V; |
獲取價格
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2SD1624S-TD-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):1uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;特征頻率(fT):150MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SA2202-TD-E | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):3.5W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V; |
獲取價格
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2SA1417T-TD-E | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V; |
獲取價格
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2SC3647T-TD-E | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V; |
獲取價格
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2SA1417S-TD-E | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V; |
獲取價格
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MMBF5484 | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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