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標簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優異電子原料,設計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業。不僅是手機、家電,汽車相關的應用、能源管理系統、醫療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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PZTA56 | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):-;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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NZT651 | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):4A;功率(Pd):1.2W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,2V;特征頻率(fT):75MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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PZT3904T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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BF720T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):10nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@30mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征頻率(fT):60MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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NSV60601MZ4T1G | 晶體管類型:-;集射極擊穿電壓(Vceo):-;集電極電流(Ic):-;功率(Pd):-;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征頻率(fT):-; |
獲取價格
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MC74LCX125DR2G | 每個元件位數:-;電源電壓:2V~3.6V;灌電流(IOL):24mA;拉電流(IOH):24mA; |
獲取價格
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NJVMJD44H11T4G-VF01 | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; |
獲取價格
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FCD2250N80Z | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):800V;連續漏極電流(Id):2.6A;功率(Pd):39W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.25Ω@1.3A,10V; |
獲取價格
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FQD17P06TM | 此 P 溝道增強型功率 MOSFET 是使用平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源應用。 |
獲取價格
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NCP1117ST15T3G | 輸出類型:固定;輸出極性:正;最大輸入電壓:20V;輸出電壓:1.5V;輸出電流:1A;電源紋波抑制比(PSRR):72dB@(120Hz); |
獲取價格
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DFE252012PD-100M=P2 |
獲取價格
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SI8220BB-D-ISR |
獲取價格
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MJ11016G | 類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):120V;集電極電流(Ic):30A;功率(Pd):200W;集電極截止電流(Icbo@Vcb):1mA;集電極-發射極飽和電壓((VCE(sat)@Ic,Ib):4V@30A,300mA;直流電流增益(hFE@Vce,Ic):1000@5V,20A;特征頻率(fT):4MHz;工作溫度:-55℃~+200℃@(Tj); |
獲取價格
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MJ15015G | 該雙極功率晶體管適用于大功率音頻、步進電機和其他線性應用。它還可用于繼電器或電磁驅動器、DC-DC 轉換器、逆變器等電源切換電路,或需要比 2N3055 安全運行區域更高的直感負載。 |
獲取價格
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2N3773G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):140V;集電極電流(Ic):16A;功率(Pd):150W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V; |
獲取價格
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FDB8832 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續漏極電流(Id):80A;功率(Pd):300W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,80A; |
獲取價格
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NTB190N65S3HF | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續漏極電流(Id):20A;功率(Pd):162W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10A,10V; |
獲取價格
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NTB7D3N15MC | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):150V;連續漏極電流(Id):101A;功率(Pd):166W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,62A; |
獲取價格
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NTB011N15MC | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):150V;連續漏極電流(Id):76.4A;功率(Pd):136.4W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.7mΩ@10V,41A; |
獲取價格
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FDB060AN08A0 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):75V;連續漏極電流(Id):16A;80A;功率(Pd):255W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@80A,10V; |
獲取價格
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NJVMJD31CT4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MJD340T4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):15W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):30@50mA,10V;特征頻率(fT):10MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MJD50T4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):400V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):15W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):30@300mA,10V; |
獲取價格
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MJD210T4G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):45@2A,1V; |
獲取價格
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MJD253T4G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):4A;功率(Pd):1.4W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@200mA,1V; |
獲取價格
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MJD45H11T4G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; |
獲取價格
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MJD31T4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MJD32CT4G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MJD31CRLG | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):15W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V; |
獲取價格
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MJD31CG | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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