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標(biāo)簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價(jià)格 |
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NCV8406ASTT1G | NCV8406 是一款三端子保護(hù)低壓側(cè)智能分立器件。保護(hù)功能包括過電流、高溫、ESD 和用于過電壓保護(hù)的集成式漏極-門極箝位。此器件提供保護(hù),適用于嚴(yán)苛的汽車環(huán)境。 |
獲取價(jià)格
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NCV8402ASTT1G | 特性:過流保護(hù)(OCP);過熱保護(hù)(OPT);過壓保護(hù)(OVP); |
獲取價(jià)格
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SBCP68T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):10uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):85@100mA,5V;特征頻率(fT):60MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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NSS40300MZ4T1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):175@1A,1V; |
獲取價(jià)格
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PZT751T1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):800mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,2V; |
獲取價(jià)格
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BCP53T1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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PZT651T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):800mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,2V; |
獲取價(jià)格
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NSS1C201MZ4T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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MJB41CT4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V; |
獲取價(jià)格
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BCP68T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V; |
獲取價(jià)格
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NSS60600MZ4T1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):6A;功率(Pd):800mW; |
獲取價(jià)格
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NJT4031NT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@3A,300mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;特征頻率(fT):215MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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MJB44H11T4G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):10A;功率(Pd):2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; |
獲取價(jià)格
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NSV1C201MZ4T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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PZTA42T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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BCP56-16T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征頻率(fT):130MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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MJB42CT4G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V; |
獲取價(jià)格
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BCP53-10T1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; |
獲取價(jià)格
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NZT902 | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):90V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):1W; |
獲取價(jià)格
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BCP56T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征頻率(fT):130MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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NTF5P03T3G | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):3.7A;功率(Pd):1.56W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@5.2A,10V; |
獲取價(jià)格
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FQT4N20LTF | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):200V;連續(xù)漏極電流(Id):850mA;功率(Pd):2.2W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35Ω@10V,425mA;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2V@250uA; |
獲取價(jià)格
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FDB2572 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):150V;連續(xù)漏極電流(Id):4A;29A;功率(Pd):135W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):54mΩ@10V,9A; |
獲取價(jià)格
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NCV8403ASTT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):42V;連續(xù)漏極電流(Id):15A;功率(Pd):1.56W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@10V,3A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):[email protected];工作溫度:-40℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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FDB075N15A | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):150V;連續(xù)漏極電流(Id):130A;功率(Pd):333W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,100A; |
獲取價(jià)格
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NSS60601MZ4T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,2V; |
獲取價(jià)格
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BCP53-16T1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; |
獲取價(jià)格
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NJT4030PT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V; |
獲取價(jià)格
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NZT751 | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):4A;功率(Pd):1.2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,2V; |
獲取價(jià)格
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FDB86363-F085 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):80V;連續(xù)漏極電流(Id):110A;功率(Pd):300W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,80A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):131nC@0~10V;輸入電容(Ciss@Vds):10nF@40V;反向傳輸電容(Crss@Vds):95pF@40V;工作溫度:-55℃~+175℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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