雜散電感

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　　雜散電感是指由電路中的導(dǎo)體如：連接導(dǎo)線、元件引線、元件本體等呈現(xiàn)出來的等效電感。

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雜散電感技術(shù)

為驗(yàn)證對(duì)主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動(dòng)情況下的實(shí)際情況，我們?nèi)藶閷?duì)Lp 大小進(jìn)行了干預(yù)，其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...

2025-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 雜散電感 344 0

雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)

IGBT的開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...

2025-04-22 標(biāo)簽：IGBT 變流器雜散電感 667 0

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量，因此需要盡量對(duì)稱；

2024-05-10 標(biāo)簽：二極管 IGBT 雜散電感 1846 0

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因?yàn)樗鼈?..

2024-05-08 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率模塊 1309 0

IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

2024-04-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IGBT 電源電壓 2244 0

納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用介紹

主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車的重要組成部分，本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā)，介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能，并重點(diǎn)介紹納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6...

2024-03-18 標(biāo)簽：功率管電控系統(tǒng)雜散電感 4389 0

一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標(biāo)簽：IGBT 功率模塊碳化硅 2257 0

如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置？

利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。

2023-11-24 標(biāo)簽：二極管示波器 IGBT 1898 0

IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析

通過雙脈沖測(cè)試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開關(guān)參數(shù)。

2023-11-24 標(biāo)簽：IGBT 直流母線脈沖測(cè)試 1.3萬 0

IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的，而實(shí)際應(yīng)用中的外部...

2023-11-24 標(biāo)簽：示波器 IGBT 續(xù)流二極管 4722 0

如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)？

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開關(guān)器件的開關(guān)動(dòng)作，目前車用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH，同時(shí)由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在

2023-11-09 標(biāo)簽：IGBT 電磁兼容性雜散電感 2660 0

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車規(guī)模塊

新能源汽車向著高功率密度和高可靠性的方向發(fā)展，為了滿足這方面的需求，功率模塊無論從電氣性能（Si基和WBG材料的芯片）還是封裝（低雜散電感，先進(jìn)的互連技...

2023-10-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器 1975 0

IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

在IGBT模塊的使用過程中，關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓，特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高

2023-10-10 標(biāo)簽：IGBT MOS 驅(qū)動(dòng)電路 1883 0

車規(guī)模塊系列：賽米控SKiN技術(shù)介紹

芯片互連技術(shù)包括兩大類，有綁定線和無綁定線兩大類。其中，有綁定線的，我們?cè)偈煜げ贿^了，也是技術(shù)最為成熟的一類

2023-10-10 標(biāo)簽：散熱器 IGBT SiC 2112 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽：BGA SiC 芯片封裝 907 0

IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些？

IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。

2023-08-04 標(biāo)簽：分壓器 IGBT 短路 2611 0

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢？

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-03 標(biāo)簽：振蕩器電磁干擾 BGA封裝 599 0

igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)

在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下，允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。

2023-07-21 標(biāo)簽：二極管連接器 IGBT 6555 0

新能源電機(jī)絕緣系統(tǒng)關(guān)鍵參數(shù)-PDIV（一）

直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負(fù)極交替變化的電壓）沖擊圖。

2023-07-18 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 2940 0

雜散電感對(duì)碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試的影響

電感是導(dǎo)體的一種特性，會(huì)阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會(huì)消耗電能，而是以磁場(chǎng)/電磁感應(yīng)的方式存儲(chǔ)釋放能量，以達(dá)到阻礙電流變化的目的。

2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試碳化硅 1602 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
系統(tǒng)電源

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LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”

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雜散電感

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