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標(biāo)簽 > 晶閘管
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
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01 晶閘管的結(jié)構(gòu)和功能模型 1.1 晶閘管的結(jié)構(gòu) 如下圖:a)晶閘管元件符號,b)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),c)等效電路 晶閘管整個(gè)器件由四層三個(gè)pn結(jié)組成。p型參...
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢
半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會的物理基石,并已成為推動(dòng)各種革命性變革和創(chuàng)新的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力,這點(diǎn)已是當(dāng)前的社會共識。而功率器件正是半...
9月15日,華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的翟天佑教授團(tuán)隊(duì)宣布,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)在二維高性能浮柵晶體管存儲器方面取得重要進(jìn)展。
IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié),即NPNP結(jié)構(gòu),在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的
儲能微網(wǎng)應(yīng)用SCR選型設(shè)計(jì)(2)
SCR只有開通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),具有開關(guān)特性。這種特性需要一定條件才能轉(zhuǎn)換。SCR導(dǎo)通后門極失去控制作用,所以被稱為半控器件。
儲能微網(wǎng)應(yīng)用SCR晶閘管的選型設(shè)計(jì)(1)
晶閘管(Silicon Controlled Rectifier)簡稱SCR,由于電流容量大,耐電壓高,以及開通可控性。
對于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)洌俚礁鼜?fù)雜的變流器
一、半導(dǎo)體 半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 1、導(dǎo)電特性 1)導(dǎo)電能力隨外界溫度升高或光照強(qiáng)度增加而明顯增加。 2)在純半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì),半導(dǎo)...
分享一個(gè)電動(dòng)風(fēng)扇觸電自動(dòng)停止的電路
今天給大家分享一個(gè)電動(dòng)風(fēng)扇防范身體觸碰以及觸電自動(dòng)停止的電路,并和大家一起學(xué)習(xí),分析,提升。
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