半導(dǎo)體制造過程中的新一代清洗技術(shù)

VLSI制造過程中，晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當(dāng)晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對設(shè)備的性能和產(chǎn)量(yield)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響時的門。在典型的半...

2022-03-22 標(biāo)簽：電路半導(dǎo)體晶片 4986 0

氧清洗硅晶片污染物的實驗研究

本研究的目的是為高效半導(dǎo)體器件的制造提出高效的晶圓清洗方法，主要特點是清洗過程是在室溫和標(biāo)準(zhǔn)壓力下進(jìn)行的，沒有特殊情況。盡管該方法與實際制造工藝相比，半...

2022-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片加熱 627 0

HF/H2O二元溶液中硅晶片變薄的蝕刻特性

使用酸性或氟化物溶液對硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散...

2022-03-18 標(biāo)簽：光電蝕刻晶片 999 0

通過封閉系統(tǒng)和蒸汽方法清潔晶圓

隨著LSI的精細(xì)化，晶片的清洗技術(shù)越來越重要。晶片清洗技術(shù)的一個重要特性是如何在整個過程中去除刨花板或重金屬，以及在這個清洗過程本身中抑制刨花板的去除和...

2022-03-18 標(biāo)簽：晶片清洗技術(shù)紋理 614 0

丁基醇濃度對Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響

本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速...

2022-03-18 標(biāo)簽：蝕刻晶片測量 579 0

微細(xì)加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過...

2022-03-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片加工 1607 0

新型全化學(xué)晶片清洗技術(shù)詳解

本文介紹了新興的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)，研究它們提供更低的水和化學(xué)消耗的能力，提供了每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益和考慮因素、環(huán)境、安全和健康(ES...

2022-03-16 標(biāo)簽：測試晶圓晶片 606 0

半導(dǎo)體制造過程中刷洗力的研究

為了確保高器件產(chǎn)量，在半導(dǎo)體制造過程中，必須在幾個點監(jiān)控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗滌器是用于實現(xiàn)這種控制的工具之一，尤其是在化學(xué)機(jī)械平面化工藝之后...

2022-03-16 標(biāo)簽：測試裝置晶片 868 0

晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應(yīng)用

什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。

2022-03-15 標(biāo)簽：工藝光刻晶片 1302 0

兆聲清洗晶片過程中去除力的分析

在半導(dǎo)體器件的制造過程中，兆聲波已經(jīng)被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個過程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內(nèi)的聲...

2022-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片函數(shù) 751 0

水痕去除的有效方法有哪些

應(yīng)用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過程。一種非常常見的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥，但從減少顆粒...

2022-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝晶片 1568 0

詳解微米級顆粒清洗新技術(shù)

近年來，微米級低溫固體微粒的熱流體機(jī)械高功能性在應(yīng)用于高熱發(fā)射器件的超高熱通量冷卻技術(shù)領(lǐng)域受到關(guān)注。為了在先進(jìn)的納米技術(shù)領(lǐng)域有效利用這種低溫固體顆粒的高...

2022-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶片 1229 0

二氧化硅薄膜蝕刻速率均勻性的比較

半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統(tǒng)的方法，在藥液bath中一次性加入數(shù)...

2022-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 988 0

用濕化學(xué)工藝制備的超薄氧化硅結(jié)構(gòu)

近十年來，濕化學(xué)法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結(jié)構(gòu)的技術(shù)和研究取得了迅速發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關(guān)。

2022-03-11 標(biāo)簽：晶片金屬電阻率 1161 0

二氧化硅蝕刻標(biāo)準(zhǔn)操作程序研究報告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...

2022-03-10 標(biāo)簽：材料蝕刻晶片 1122 0

IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分實驗研究

為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過將晶片表面的...

2022-03-10 標(biāo)簽：特性晶片光譜 1171 0

晶圓表面清潔的研究方法

設(shè)備在整個制造過程中需要使用不同的材料達(dá)到不同的清潔水平，因此提供多種清潔選項以達(dá)到所需的清潔水平以確保良好的設(shè)備和高產(chǎn)量變得越來越重要。表面活化是與清...

2022-03-10 標(biāo)簽：制造設(shè)備晶片 2261 0

標(biāo)準(zhǔn)清洗槽中的質(zhì)量參數(shù)的監(jiān)控方法

高效的硅片清洗需要最佳的工藝控制，以確保在不增加額外缺陷的情況下提高產(chǎn)品產(chǎn)量，同時提高生產(chǎn)率和盈利能力。

2022-03-09 標(biāo)簽：晶圓晶片儀器 532 0