半導體光刻的工藝過程（2）

盡管存在從流變學角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉速度曲線（圖 1-3）是設置旋轉速度以獲...

2022-08-25 標簽：半導體工藝光刻 1494 0

超聲波工藝對晶振造成的損傷

超聲波技術被廣泛應用于工業生產中，常見的超聲波工藝有： 超聲波清洗工藝、焊接工藝 。 使用該兩種工藝時， 超聲波儀器通常以20KHz至60KHz的頻率運...

2023-06-12 標簽：晶振超聲波晶片 1492 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標簽：SiC晶片光刻機 1491 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標簽：晶片硅片鍵合 1453 0

硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產生殘余缺陷，導致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學蝕刻方法主要用于生產...

2022-06-14 標簽：集成電路蝕刻晶片 1425 0

倒裝晶片的組裝的回流焊接工藝

倒裝晶片在氮氣中回流焊接有許多優點。在較低氧氣濃度下回流焊接，條件比較寬松，可以獲得很好的焊接良 率。由于減少了氧化，可以獲得更好的潤濕效果，同時工藝窗...

2023-09-26 標簽：元件晶片回流焊接 1411 0

用于異質結太陽能電池應用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

引言 在太陽能電池工業中，最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相對昂貴，因此人們正在努力...

2022-01-05 標簽：太陽能電池太陽能半導體 1410 0

用于扇出型晶圓級封裝的銅電沉積

高密度扇出型封裝技術滿足了移動手機封裝的外形尺寸與性能要求，因此獲得了技術界的廣泛關注。

2020-07-13 標簽：集成電路晶圓晶片 1399 0

Si晶圓表面金屬在清洗液中的應用研究

隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的...

2022-03-28 標簽：晶圓檢測晶片 1337 0

操作參數對蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發和應用一個數值模型來幫助設計和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學模型，通過與實驗蝕刻速率數據...

2022-04-08 標簽：蝕刻晶片CDE 1337 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在...

2022-03-28 標簽：工藝蝕刻晶片 1331 0

晶片濕法刻蝕技術研究

文介紹了我們華林科納研究了整個濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護的提示，并提出了評估這種保護的相關新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標簽：蝕刻晶片 1329 0

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數，特別是對于常見的清潔技術RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標簽：半導體超聲波蝕刻 1228 0

金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發射光譜來監測C...

2022-05-05 標簽：等離子蝕刻晶片 1194 0

使用晶片處理技術在硅中產生溝槽結構

本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術在硅中產生溝槽結構的簡單技術，通過使用(110)Si的取向相關蝕刻，可能在硅中產生具有垂直側壁的溝槽，與該技術一...

2022-05-05 標簽：處理技術蝕刻晶片 1191 0

倒裝晶片的組裝工藝流程

相對于其他的IC元件，如BGA和CSP等，倒裝晶片裝配工藝有其特殊性，該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工 藝。因為助焊劑殘留物（對可靠性的影響）及橋連的...

2023-09-22 標簽：芯片貼裝晶片 1177 0

稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除效率

本文介紹了我們華林科納在稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除，在SC1清洗過程中，兩種化學成分之間存在協同和補償作用，H2O2氧化硅并形成化學氧化物...

2022-05-18 標簽：晶片顆粒兆聲波 1170 0

保護半導體晶片的“封裝”—保護晶片避免氣體或液體侵入

完成打線的半導體晶片，為了防止外界物理性接觸或污染的侵入，需要以包裝或是封裝材料密封。

2024-04-28 標簽：半導體晶片 1160 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結構包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標簽：工藝晶片刻蝕 1149 0