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標(biāo)簽 > 晶格
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InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長波紅外探測器研究進(jìn)展
隨著材料技術(shù)的發(fā)展,InAs/GaSbⅡ類超晶格(T2SLs)的優(yōu)越性日益凸顯,特別適用于中長波紅外(MLWIR)和甚長波紅外(VLWIR)探測。基于I...
異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩...
InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術(shù)研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨(dú)特的II型能帶結(jié)構(gòu),可以...
中南大學(xué)周江教授Angewandte Chemie廢富鎳正極直接升級為富鋰單晶正極的通用熔鹽法!
為了獲得進(jìn)一步的認(rèn)識,實(shí)時記錄晶體結(jié)構(gòu)的演變對于研究單晶和富鋰產(chǎn)物的形成機(jī)制至關(guān)重要。圖2a顯示了在空氣氣氛中從30℃到800℃合成過程中原位x射線衍射...
這兩個層面給我們的啟示是,這里的晶體結(jié)構(gòu)基元堆砌幾何和尺寸,對鐵基超導(dǎo)電性有重要作用。
本文通過FDTD Solutions建立Ⅱ類超晶格紅外焦平面陣列器件仿真模型,通過改變多層膜中的膜系厚度得到透射和反射光譜,經(jīng)由仿真結(jié)果選擇合適的膜系及...
具有極低晶格熱導(dǎo)率的半導(dǎo)體在熱電材料和熱障涂層等與熱能轉(zhuǎn)換和管理相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域非常受歡迎。雖然晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)鍵在形成傳熱行為中起著至關(guān)重要的作用,但利用...
2022-10-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)庫晶格熱電材料 1584 0
層狀鈣鈦礦La4NiLiO8中氧空位/間隙能夠有效抑制表面晶格中高活性氧釋放,從而提高了電池安全性能,緩解了超高鎳層狀氧化物正極材料LiNi0.9Co0...
基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環(huán)衍生結(jié)構(gòu)的自旋卡諾電子學(xué)器件設(shè)計
為了減小界面處的晶格形變,提高電子透射性能,我們基于STGNR和5-STGNR納米帶,設(shè)計了全新的自旋卡諾電子學(xué)器件。采用非平衡態(tài)格林函數(shù)結(jié)合密度泛函理...
CO2輔助生成富含晶界的Cu催化劑實(shí)現(xiàn)高效CO-CO偶聯(lián)
結(jié)構(gòu)表征揭示,在CO2的輔助下,La2CuO4鈣鈦礦氧化物中的La位點(diǎn)能夠從晶格中脫出溶解,誘導(dǎo)了晶格中Cu位點(diǎn)的還原和重排,最終形成富含晶界的多晶銅納...
源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度,它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料,利用硅和碳晶格常數(shù)...
帶間級聯(lián)紅外探測器的光電流輸運(yùn)與量子效率研究
基于II類超晶格的帶間級聯(lián)探測器首次由俄亥俄州立大學(xué)的楊瑞青教授提出,并已成功應(yīng)用于紅外光電探測中,其工作原理如圖1所示。當(dāng)光照射在器件上,吸收區(qū)中的電...
孿晶誘導(dǎo)細(xì)晶強(qiáng)化,相互交錯的孿晶界將母晶分割成若干細(xì)小的晶粒,誘發(fā)Hall-Petch效應(yīng)的同時也會阻礙位錯的運(yùn)動,位錯在晶界處塞積引發(fā)應(yīng)力集中又可能為...
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎(chǔ)上(ACS Nano,2021,15:16654),經(jīng)過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料...
曹原導(dǎo)師最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中實(shí)現(xiàn)開關(guān)超導(dǎo)性
低溫傳輸測量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時的預(yù)期特征。在圖1b中,四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎(chǔ)混合室溫度為40 mK時使...
2023-02-10 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管石墨烯晶格 1191 0
作者提供了一種普遍適用的CSP算法,該算法處理可能原子位置的連續(xù)空間,以正確預(yù)測不同的結(jié)構(gòu)集。該方法確定了算法之前未知的所有原子位置。所使用的局部極小與...
2023-07-13 標(biāo)簽:算法晶格晶體結(jié)構(gòu) 1160 0
H摻雜Ga2O3的缺陷計算(準(zhǔn)備計算PREPARE01)
Ga2O3是一種透明導(dǎo)電氧化物,表現(xiàn)出天然的n型導(dǎo)電性和高光學(xué)透明度,在平板顯示器、觸摸控制面板和顯示器、太陽能電池的頂表面電極和固態(tài)光發(fā)射器等技術(shù)中具...
硅基復(fù)合襯底上分子束外延HgTe/CdTe超晶格結(jié)構(gòu)材料工藝研究
碲鎘汞材料具有截止波長在紅外波段內(nèi)可調(diào)節(jié)、光學(xué)吸收系數(shù)高、量子效率高等特點(diǎn),是重要的紅外探測器應(yīng)用材料之一。近年來分子束外延生長碲鎘汞技術(shù)的快速發(fā)展,使...
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