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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

WAT晶圓接受測(cè)試簡(jiǎn)介

WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫(xiě)，意思是晶圓接受測(cè)試，業(yè)界也稱(chēng)WAT 為工藝控制監(jiān)測(cè)（Process Control M...

2024-11-25 標(biāo)簽：芯片測(cè)試晶圓 1216 0

頂層金屬AI工藝的制造流程

頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線(xiàn)。因?yàn)?Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而且不會(huì)形成保護(hù)層防止銅進(jìn)一步氧化，另外，Cu 是軟金...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻膠 910 0

超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當(dāng)今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項(xiàng)重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓脈沖激光碳化硅 692 0

一文了解晶圓級(jí)封裝中的垂直互連結(jié)構(gòu)

隨著電子產(chǎn)品需求的不斷提升，半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)從2D 結(jié)構(gòu)發(fā)展到2.5D 乃至3D結(jié)構(gòu)，這對(duì)包括高密度集成和異質(zhì)結(jié)構(gòu)封裝在內(nèi)的系統(tǒng)級(jí)封裝（Syst...

2024-11-24 標(biāo)簽：晶圓封裝 1239 0

CP測(cè)試和WAT測(cè)試有什么區(qū)別

本文詳細(xì)介紹了在集成電路的制造和測(cè)試過(guò)程中CP測(cè)試（Chip Probing）和WAT測(cè)試（Wafer Acceptance Test）的目的、測(cè)試對(duì)象...

2024-11-22 標(biāo)簽：集成電路測(cè)試晶圓 971 0

晶圓表面污染及其檢測(cè)方法

晶圓表面潔凈度會(huì)極大的影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率。在所有產(chǎn)額損失中，高達(dá)50%是源自于晶圓表面污染。能夠?qū)е缕骷姎庑阅芑蚱骷圃爝^(guò)程發(fā)生不受控...

2024-11-21 標(biāo)簽：晶圓檢測(cè) 1310 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 919 0

金屬層1工藝的制造流程

金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線(xiàn)，第一層金屬互連線(xiàn)的目的是實(shí)現(xiàn)把不同區(qū)域的接觸孔連起來(lái)，以及把不同區(qū)域的通孔1連起來(lái)。第一金屬層是大馬士革的銅結(jié)構(gòu)，...

2024-11-15 標(biāo)簽：集成電路晶圓工藝 756 0

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)的生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)...

2024-11-14 標(biāo)簽：晶圓功率器件 SiC 1167 0

CMS系列連接器在晶圓級(jí)電性參數(shù)測(cè)試設(shè)備中的應(yīng)用

01應(yīng)用場(chǎng)景在集成電路的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工藝制造和產(chǎn)品驗(yàn)證過(guò)程中，對(duì)電性參數(shù)測(cè)試的需求日益提高。芯片設(shè)計(jì)類(lèi)企業(yè)、代工制造類(lèi)企業(yè)、垂和研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，都需要完成多種...

2024-11-09 標(biāo)簽：連接器晶圓測(cè)試設(shè)備 376 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 1155 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽：晶圓工藝離子注入 899 0

晶圓切割技術(shù)知識(shí)大全

晶圓切割劃片技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其技術(shù)水平直接關(guān)聯(lián)到芯片的性能、良率及生產(chǎn)成本。

2024-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù) 1633 0

晶圓上的‘凸’然驚喜：甲酸回流工藝大揭秘

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓級(jí)凸點(diǎn)制作是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)于提高集成電路的集成度和性能具有重要意義。其中，甲酸回流工藝作為一種重要的凸點(diǎn)制作方法，因其具有工藝簡(jiǎn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體封裝回流 1342 0

多晶硅柵工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓工藝 MOS 1314 0

系統(tǒng)級(jí)封裝工藝流程說(shuō)明

摘要：在智能手機(jī)、TWS耳機(jī)、智能手表等熱門(mén)小型化消費(fèi)電子市場(chǎng)帶動(dòng)下，SiP（System in a Package系統(tǒng)級(jí)封裝）迎來(lái)了更大的發(fā)展機(jī)會(huì)。根...

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiP 1870 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1056 0

晶圓封裝過(guò)程缺陷解析

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時(shí)封裝過(guò)程中的缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個(gè)方面進(jìn)行介紹。

2024-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 813 0

CP測(cè)試與FT測(cè)試的區(qū)別

在集成電路（IC）制造與測(cè)試過(guò)程中，CP（ChipProbing，晶圓探針測(cè)試）和FT（FinalTest，最終測(cè)試）是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié)，它們承擔(dān)了不同的...

2024-11-02 標(biāo)簽：集成電路測(cè)試晶圓 975 0

STI隔離工藝的制造過(guò)程

STI 隔離工藝是指利用氧化硅填充溝槽，在器件有源區(qū)之間嵌入很厚的氧化物，從而形成器件之間的隔離。利用STI 隔離工藝可以改善寄生場(chǎng)效應(yīng)晶體管和閂鎖效應(yīng)。

2024-11-01 標(biāo)簽：晶圓工藝晶體管 1238 0

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貿(mào)澤電子

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貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商，分銷(xiāo)1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專(zhuān)注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù)，為設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
寒武紀(jì)

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寒武紀(jì)是目前國(guó)際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
半導(dǎo)體芯片

半導(dǎo)體芯片

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線(xiàn)，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見(jiàn)的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車(chē)有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場(chǎng)占上風(fēng)。
EnOcean

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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線(xiàn)能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線(xiàn)通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線(xiàn)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
Heilind

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Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類(lèi)別，并特別專(zhuān)注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷(xiāo)產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開(kāi)關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線(xiàn)束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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揭開(kāi)Nvidia CEO 黃仁勛傳奇人生
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Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類(lèi)別，特別專(zhuān)注于互聯(lián)和機(jī)電產(chǎn)品。
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RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開(kāi)源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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柔性顯示是使用了PHOLED磷光性O(shè)LED技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是，低功耗，體積小，直接可視柔性。
5G芯片

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梁孟松

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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠(chǎng)AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
紫光展銳

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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以?xún)r(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
華為p10

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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國(guó)馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過(guò)60年的歷史。總部設(shè)在美國(guó)洛厄爾，馬薩諸塞州。
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安路科技

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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專(zhuān)注于為客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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驍龍835

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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠(chǎng)商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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華為Mate9

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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
長(zhǎng)電科技

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長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
Haswell

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
iBeacon

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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周?chē)l(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
比特大陸

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公司在特別依賴(lài)分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷(xiāo)全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶(hù)喜愛(ài)。
iPhone6S

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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
華天科技

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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車(chē)電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱(chēng)“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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