用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標簽：多晶硅半導體晶圓 3909 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結合強度內聚能1.89...

2022-01-12 標簽：晶圓單晶蝕刻 1284 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言 隨著半導體技術的發(fā)展，為了在有限的面積內 形成很多器件，技術正在向多層結構發(fā)展。要想形成多層結構，會形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積...

2022-01-05 標簽：pcb半導體晶圓 1327 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學及HF輔助刻蝕的觀察

關鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機理。結果表明，在...

2022-01-04 標簽：半導體晶圓刻蝕 2610 0

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點，并研究了SiQ的蝕刻反應作為高頻溶液中不同物種的函數。基于HF二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻...

2021-12-31 標簽：晶圓鍍膜刻蝕 5237 0

Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業(yè)清洗序列

摘要 在本文中，我們研究了測試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業(yè)適用清洗順序，并與實驗室類型的RCA清洗進行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF...

2021-12-31 標簽：太陽能電池太陽能晶圓 1881 0

異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

引言 為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過高靈敏度的大氣壓電離質譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過將晶片...

2021-12-30 標簽：晶圓晶片光譜 6507 0

Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時間延遲。本文從理論和實驗上研究了檸檬酸基銅化學機械平坦化后二...

2021-12-29 標簽：半導體晶圓晶片 1732 0

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應用

引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測硅片表面金屬雜質污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實驗顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等...

2021-12-28 標簽：晶圓納米晶片 1036 0

揭秘半導體制造全流程（中篇）

在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。

2021-07-26 標簽：半導體晶圓半導體制造 1.4萬 0

發(fā)光二極管光強可靠性研究

發(fā)光二極管作為電子產品中不可缺少的一個器件，光強的一致性與亮度是重要指標。因此，隨著貼片器件的常規(guī)化使用，除了要求在小型化、多元化方面優(yōu)化之外，對于光強...

2021-05-02 標簽：二極管晶圓封裝 2759 0

ARIMA時間序列模型的建立及在半導體行業(yè)領域的應用

當今半導體產業(yè)面臨全球化的巨大挑戰(zhàn)，不但存在行業(yè)內部企業(yè)之間的競爭，行業(yè)與行業(yè)之間的競爭也日益激烈，直接導致市場需求不確定因素急劇增加;另外，近年來半導...

2021-03-24 標簽：半導體晶圓 5013 0

超高去除速率研磨劑ER9212在Cu MEMS工藝中的應用

高密度IC器件涉及互連的多層堆疊。化學機械平坦化（CMP）工藝為光刻需求提供了晶圓上的平滑表面，已成為半導體制造中獲得高良率的關鍵工藝。

2021-01-27 標簽：芯片半導體晶圓 2799 0