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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。
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嚴重的離子轟擊將產生大量的熱量,所以如果沒有適當的冷卻系統,晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過1...
等離子體最初用來刻蝕含碳物質,例如用氧等離子體剝除光刻膠,這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產生的氧原子自由基會很快與...
在液體狀態的硅中加入一個籽晶,提供晶體生長的中心,通過適當的溫度控制,慢慢將晶體向上提升并且逐漸增大拉速,同時以一定速度繞提升軸旋轉,將硅錠控制在所需直徑內。
良好的機械強度:玻璃是一種相對堅固且耐用的材料,可以保護MEMS器件免受機械應力的影響。另外,不同于金屬或其他材料, 玻璃材料不會產生疲勞效應。適用于長...
三星推出了全新2.5D封裝解決方案H-Cube(Hybrid Substrate Cube,混合基板封裝),專用于需要高性能和大面積封裝技術的高性能計算...
探針卡(Probe card)或許很多人沒有聽過,但看過關于,也就是晶圓測試方面文章的人應該不會陌生,其中就有提到過探針卡。
一般的半導體封裝都類似于下面的結構,將裸片安裝到某個基板上,裸片的引腳通過內部連接路徑與基板相連,通過塑封將內部封裝好后,基板再通過封裝提供的外部連接路...
隨著超高密度多芯片模組(Multiple Chip Module,MCM)乃至系統級封裝(SiP)產品在5G、AI、高性能運算、汽車自動駕駛等領域的普及...
晶圓級封裝(Wafer Level Packaging,縮寫WLP)是一種先進的封裝技術,因其具有尺寸小、電性能優良、散熱好、成本低等優勢,近年來發展迅...
從下圖中可以看出結合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高,明顯高于這兩種工藝單獨使用時的刻蝕速率總和。
激光芯片的可靠性是一項十分關鍵的指標,無論是小功率的激光筆還是要求較高的激光通信芯片,都需要進行芯片的老化和可靠性的測試。
半導體產業中,制造工工程被稱為工藝(Process),理由是什么?雖然沒有明確的答案,但與其說加工尺寸微小(目前是nm制程),不如說制造過程無法用肉眼看到所致。
加工技術:IGBT芯片的加工技術包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術的發展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如,采用新型的晶圓制備技術,...
結束前工序的每一個晶圓上,都連接著500~1200個芯片(也可稱作Die)。為了將這些芯片用于所需之處,需要將晶圓切割(Dicing)成單獨的芯片后,再...
碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數,以確定電子設備是否正常工作。
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