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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。
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CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實現憶阻器約 500 萬次開關周期的耐用性,與現有的電阻式 RAM和相變存儲器大致相當。如果沒有 ...
引線鍵合步驟完成后,就該進行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝,并保護半導體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環氧樹脂密封引線鍵合芯片,這樣...
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制,防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題,因為Cu Cl2的揮發性極低且會停留在晶圓表面。
電池由正極、負極和隔膜組成,其電極片非常薄,在電池生產過程中,將正負極片裁成需求尺寸大小,通過真空吸盤從堆棧中抓取,隨后將正極片、隔膜、負極片疊合成小電芯單體
芯片上的IC管芯被切割以進行管芯間連接,通過引線鍵合連接外部引腳,然后進行成型,以保護電子封裝器件免受環境污染(水分、溫度、污染物等);保護芯片免受機械...
通常來說,對于小芯片減薄劃片時使用UV膜,對于大芯片減薄劃片時使用藍膜,因為,UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強度來控制,防止芯片在抓取的過程中漏...
高頻探針卡是芯片、晶圓測試中的重要工具,它可以將高頻信號從芯片中提取出來并進行分析,是芯片、晶圓測試世界中的神器。
晶圓切割時,經常遇到較窄跡道(street)寬度,要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學放大和先進對準運算的設備。
前一個步驟完成后,需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端,再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑決定了晶圓的尺寸,更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元,有助于降...
金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有...
目前主流的實現方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術。使用等離子體浸沒注入或者晶圓鍵合技術制造SOI Wafer,在硅下面...
?做過封裝設計,做過PCB板級的設計,之前和網友有過交流,問題是:為什么要封裝設計?信號完整性體系從大的方面來看:芯片級->封裝級->板級。
長電科技針對QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過的封裝體通過沖壓的方式從整條框架上分離出來,而以陣列式排布的封裝...
其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統,再到光掩模,再到對準系統,再到晶圓載物臺,再到光刻膠化學成分,再到鍍膜機和顯影劑,再到計量學,再到單個晶圓。
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