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      標(biāo)簽　>　晶體

      晶體

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      晶體資訊

      使用機(jī)器學(xué)習(xí)方法來預(yù)測模擬了二維二氧化硅玻璃的失效

      在此，研究者通過機(jī)器學(xué)習(xí)方法分析了二維石英玻璃的結(jié)構(gòu)和失效行為，并說明了如何在保持結(jié)果的定性可解釋性的情況下實現(xiàn)準(zhǔn)確的失效預(yù)測。這要歸功于梯度加權(quán)類激活...

      2022-08-18 標(biāo)簽：晶體神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)機(jī)器學(xué)習(xí) 1462 0

      “全數(shù)字化量子模擬”的實驗方案

      食鹽、礦石等人們?nèi)粘Ｊ煜さ囊话憔w，構(gòu)成它們的原子在空間排列上呈現(xiàn)周期性變化的規(guī)律。而時間晶體，也就是一種四維以上的空間晶體，其特征在時間上也呈現(xiàn)出周期...

      2022-08-18 標(biāo)簽：晶體數(shù)字化量子芯片 917 0

      NiO的DFT+U的電子結(jié)構(gòu)

      對于過渡族金屬元素主要是3d族，當(dāng)然也包括4d，5d族，和稀土元素，主要是鑭系；這些元素形成的合金或者化合物中，由于存在d電子或f電子，而這兩種電子都是...

      2022-08-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體模擬器件 3048 0

      鈦合金晶界析出相形態(tài)變化機(jī)理！

      模擬結(jié)果表明，α析出相沿GBP的橫向生長和由來自GBα的α板條演變之間的動態(tài)相互作用決定了最終的形貌，兩者都對于θ十分敏感。隨著θ的增加WS的生長優(yōu)于G...

      2022-08-16 標(biāo)簽：晶體物理鈦合金 3532 0

      超分子聚集體的高效率RTP模型和思路

      這項工作不僅報道了一維π-π堆積誘導(dǎo)的高效率RTP，為探索超分子聚集體的高效率RTP提供了重要的模型，也為實現(xiàn)三元白光提供了一種新策略。 研究者相信，此...

      2022-08-08 標(biāo)簽：晶體軟件輻射 2138 0

      鈉離子電池層狀正極材料結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和氧化還原電位的精準(zhǔn)調(diào)控

      作者通過簡單固相法合成了NNMO，Cu摻雜Na0.67Cu0.12Ni0.21Mn0.67O2 (NNMCO)，Zn摻雜Na0.67Zn0.12Ni0....

      2022-08-02 標(biāo)簽：晶體正極材料鈉離子電池 6380 0

      IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域

      IGBT是一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用...

      2022-07-26 標(biāo)簽：晶體IGBT電機(jī)控制器 1.4萬 0

      梯度結(jié)構(gòu)材料的力學(xué)行為及其內(nèi)在微觀機(jī)理

      在三維多尺度離散位錯動力學(xué)框架中建立了梯度晶粒結(jié)構(gòu)（圖1a, b）及其對應(yīng)的均勻晶粒結(jié)構(gòu)多晶模型。采用基于“粗粒化”方法的可穿透晶界模型來考慮位錯與晶界...

      2022-07-25 標(biāo)簽：晶體金屬材料 2909 0

      QUANTUMESPRESSO在Device Studio中的應(yīng)用

      目前用戶可通過Device Studio進(jìn)行 QUANTUM ESPRESSO 以下性質(zhì)的計算： 結(jié)構(gòu)馳豫、自洽、能帶、態(tài)密度、DFT+U、共線自旋、非...

      2022-07-21 標(biāo)簽：晶體計算電子器件 2925 0

      一種普適的原子尺度氫脆量化機(jī)制

      具體而言，對于完美晶體而言，當(dāng)氫原子被金屬的晶格間隙捕獲，將會導(dǎo)致間隙局域電子密度增加，使得間隙處Pauli斥力相對于靜電吸引力顯著增強(qiáng)，原本的排斥與吸...

      2022-07-21 標(biāo)簽：晶體金屬材料 801 0

      硅砂是如何變成硅晶體的？

      硅砂被開采 芯片制造商從采石中獲得硅砂或二氧化硅。接下來，他們將其與碳混合并將其加熱到超過 2,000°C 的溫度以去除氧氣。當(dāng)硅砂在電弧爐內(nèi)時，碳與氧...

      2022-07-20 標(biāo)簽：晶體硅晶體 1673 0

      異構(gòu)層狀材料微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能關(guān)聯(lián)的本構(gòu)建模分析

      通過分析發(fā)現(xiàn)，層狀材料中界面引入的非均勻變形程度以及非均勻變形區(qū)域的大小是主導(dǎo)其單拉力學(xué)響應(yīng)的關(guān)鍵，對材料強(qiáng)度-韌性有重要影響。模擬發(fā)現(xiàn)隨著層厚的不斷減...

      2022-07-14 標(biāo)簽：晶體金屬材料 1446 0

      利用高分辨率透射電鏡在UO2雙晶中觀察到了兩種特殊的GBs

      研究發(fā)現(xiàn)對鈾原子在GB的分布是由鈾-氧相互作用造成的。CRG和Yakub勢的這種優(yōu)勢與之前的研究一致，這兩個勢給出了關(guān)于UO2中GBs能量的最佳結(jié)果。雖...

      2022-07-12 標(biāo)簽：晶體透射電鏡 1337 0

      Au納米晶體在剪切加載下通過孿晶界滑移主導(dǎo)的塑性變形機(jī)制

      原子尺度動態(tài)分析表明，Au納米孿晶的塑性變形由4種特征的位錯機(jī)制參與（如示意圖2A）。這4種不同位錯對應(yīng)特征的柏氏矢量和原子尺度結(jié)構(gòu)演化機(jī)制，如圖2B-...

      2022-07-12 標(biāo)簽：晶體納米 2185 0

      壓電分子晶體可在機(jī)械沖擊下實現(xiàn)自我修復(fù)

      壓電分子晶體可在機(jī)械沖擊下實現(xiàn)自我修復(fù)

      研究人員探索了多種將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能的方法。對于可穿戴設(shè)備，壓電是一種被廣泛研究的能量收集方法。這種方法使用壓電元件，當(dāng)對它們施加一定的機(jī)械應(yīng)力時，壓電...

      2022-06-28 標(biāo)簽：晶體能量收集器可穿戴設(shè)備 1424 0

      一種新型的生物質(zhì)核殼微囊

      接著，研究人員對微囊尺寸的影響因素進(jìn)行了驗證。生成的微囊具有很好的均一性，尺寸大小為351.1±16.3μm，其中核心直徑為293±12.8μm，符合標(biāo)...

      2022-06-16 標(biāo)簽：晶體微流控 2431 0

      泛音晶體如何振蕩？都有什么振蕩模式？

      AT切(0.5~300MHz)使用最廣泛的切割方式，主要應(yīng)用在電子儀器，無線通信等。由于工藝的限制和晶片破裂的風(fēng)險，晶片不能無限的薄，所以高頻晶體通常在...

      2022-06-14 標(biāo)簽：晶體無線通信振蕩 2328 0

      晶體、諧振器和振蕩器是否可以旋轉(zhuǎn)

      雙引線晶體或諧振器可以在電路中旋轉(zhuǎn)，因為它沒有極性。

      2022-06-09 標(biāo)簽：振蕩器晶體諧振器 1366 0

      C0/C1對晶體穩(wěn)定性的影響 CL對相噪和起振的影響

      高精密電子儀器和通信系統(tǒng)的應(yīng)用下，我們需要考慮不同封裝(貼片/直插)的石英晶振的電性能參數(shù)變化對系統(tǒng)的影響，包括C0/C1, CL,RR。

      2022-06-01 標(biāo)簽：晶體振蕩電路石英晶振 4960 0

      新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)

      而此次他們通過實驗證明，該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進(jìn)行減薄，該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。

      2022-05-12 標(biāo)簽：晶體功率器件GaN 5338 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
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      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
      • 光模塊
        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • K60
        K60
        +關(guān)注
      • STM32單片機(jī)
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        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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        Nexperia
        +關(guān)注
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      • 步進(jìn)驅(qū)動器
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        +關(guān)注
        步進(jìn)驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動器接收到一個脈沖信號，它就驅(qū)動步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運行的。可以通過控制脈沖個數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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      • COMSOL
        COMSOL
        +關(guān)注
        COMSOL集團(tuán)是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
      • 加速度傳感器
        加速度傳感器
        +關(guān)注
        加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
      • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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        +關(guān)注
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        服務(wù)機(jī)器人
        +關(guān)注
        服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個年輕成員，到目前為止尚沒有一個嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識不同。
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
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        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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