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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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在高壓雙極型開(kāi)關(guān)晶體管中,“下降時(shí)間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電流特性曲線的形狀來(lái)決定,從基極關(guān)斷驅(qū)動(dòng)申請(qǐng)到真正關(guān)斷沿之間的延時(shí)...
晶體管聲,數(shù)碼聲和電磁干擾聲介紹 晶體管聲:聽(tīng)過(guò)晶體管放大器(分立元件)的和聽(tīng)過(guò)集成電路放大器的人一定都會(huì)說(shuō)晶體管放大器聲音好
IGBT全球缺貨成香餑餑,對(duì)從業(yè)者來(lái)說(shuō)是紅利期到了嗎?
IGBT技術(shù)路線、發(fā)展機(jī)遇詳解
2023-03-28 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1683 0
來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? ? ? ??金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...
選型應(yīng)用:TT Electronics (Semelab)射頻功率 MOSFET 晶體管對(duì)比
TT Electronics (Semelab)的射頻功率 MOSFET 晶體管,包括 D2205UK、D2213UK 和 D2001UK。這些器件都是...
? ? ? ?在臺(tái)積電的法人說(shuō)明會(huì)上據(jù)臺(tái)積電總裁魏哲家透露臺(tái)積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片。 目前,臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝; 臺(tái)灣新竹寶山、高雄...
工業(yè)數(shù)字相機(jī)的技術(shù)應(yīng)用及選擇
CCD攝像機(jī),CCD稱為電荷耦合器件,CCD實(shí)際上只是一個(gè)把從圖像半導(dǎo)體中出來(lái)的電子有組織地儲(chǔ)存起來(lái)的方法。優(yōu)點(diǎn):圖像質(zhì)量高、靈敏度高、對(duì)比度高;缺點(diǎn):...
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng),而30A NG...
2023-07-05 標(biāo)簽:IGBT晶體管安世半導(dǎo)體 1669 0
2022年功率晶體管銷售額有望增長(zhǎng)11%,預(yù)計(jì)達(dá)245億美元
功率晶體管市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在 2024 年開(kāi)始另一個(gè)增長(zhǎng)周期,到 2026 年,年銷售額將穩(wěn)步增長(zhǎng),達(dá)到 289 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 有望達(dá)到...
iPhone15或使用臺(tái)積電3nm芯片,A17性能大幅度提升?
iPhone15或使用臺(tái)積電3nm芯片,A17性能大幅度提升?? iPhone 15是今年最受期待的設(shè)備之一,一如既往,用戶對(duì)此次新發(fā)布抱有很高的期望。...
下一代芯片會(huì)什么樣子,什么時(shí)候能實(shí)現(xiàn)?
代工廠將盡可能長(zhǎng)時(shí)間地?cái)U(kuò)展現(xiàn)有技術(shù) ,因?yàn)槊看胃鼡Q升級(jí)都是昂貴的。除了代工廠開(kāi)發(fā)的新制造工藝外,還需要微調(diào)涉及制造設(shè)備的數(shù)百個(gè)工藝步驟。這里的關(guān)鍵指標(biāo)是...
推挽式功放電路原理 功放電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
一、推挽式功放電路原理 推挽式功放電路,又稱為互補(bǔ)對(duì)稱功放電路,是一種利用兩個(gè)晶體管(或MOSFET)交替工作來(lái)放大信號(hào)的電路。其核心原理是利用兩個(gè)晶體...
IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件,被譽(yù)為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管,是國(guó)際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表...
一種用于平面微流控芯片架構(gòu)的先進(jìn)電路概念
類似于雙極晶體管,CVPT是一個(gè)三端控制閥(圖1)。這三個(gè)端子分別稱為基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。當(dāng)作為控制信號(hào)的化學(xué)濃度低于閾值濃度時(shí)(圖...
功率器件IGBT及國(guó)內(nèi)外IGBT企業(yè)
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(MOSFET)金氧半...
IBM宣布已推出全球首顆2nm制程芯片,至今為止一種最小、最強(qiáng)大的芯片,標(biāo)志著IBM在芯片制造工藝領(lǐng)域取得的巨大飛躍。
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