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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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臺(tái)積電和三星統(tǒng)治的5nm晶圓代工江湖,很可能出現(xiàn)第三家競(jìng)爭(zhēng)者
作為當(dāng)下5nm制程產(chǎn)能的領(lǐng)導(dǎo)者,臺(tái)積電被多家芯片廠商追捧。最近,又有一批5nm芯片將在今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),還有的在研發(fā)當(dāng)中,有望在2022和2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)...
國(guó)家政策鼓勵(lì)車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體發(fā)展,IGBT已成為新能源汽車核心部件
亞化咨詢認(rèn)為,IGBT正迎來(lái)新能源汽車爆發(fā)機(jī)遇。近年來(lái)中國(guó)的IGBT需求迎來(lái)了爆發(fā)式增長(zhǎng),但是自給程度低。中國(guó)已經(jīng)承諾,努力爭(zhēng)取2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和,...
2021-05-14 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 6829 0
全球第一個(gè)2納米芯片制造技術(shù),誕生在了紐約州奧爾巴尼的IBM研究院
然而,隨著FinFET和其他3D晶體管設(shè)計(jì)的出現(xiàn),現(xiàn)在的工藝節(jié)點(diǎn)名稱是對(duì)「等效2D晶體管」設(shè)計(jì)的解釋。一般用晶體管密度可以更準(zhǔn)確的衡量,如同英特爾倡導(dǎo)的那樣。
臺(tái)積電的5nm芯片每平方毫米約有1.73億個(gè)晶體管,三星的5nm芯片每平方毫米約有1.27億個(gè)晶體管。這樣對(duì)比來(lái)看,IBM 2nm晶體管密度達(dá)到了臺(tái)積電...
湖南大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)1納米物理溝道長(zhǎng)度的垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管
4 月 27 日,《自然·電子學(xué)》(Nature Electronics)雜志刊登了湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院教授、麻省理工科技評(píng)論 2019 年“3...
晶體管物理結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的兩類協(xié)同優(yōu)化技術(shù)探究
當(dāng)前,通過(guò)常規(guī)的晶體管尺寸微縮越來(lái)越難以獲得理想性能增益,每一次集成電路工藝的進(jìn)步都凝聚著產(chǎn)業(yè)鏈上下各個(gè)環(huán)節(jié)的辛勞成果。加州大學(xué)圣迭戈分校研究團(tuán)隊(duì)近期報(bào)...
你的fpga為啥不能正常工作讓我們拆解第一款FPGA芯片分析原理
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)可以實(shí)現(xiàn)任意數(shù)字邏輯,從微處理器到視頻生成器或加密礦機(jī),一應(yīng)俱全。FPGA由許多邏輯模塊組成,每個(gè)邏輯模塊通常由觸發(fā)器和邏輯...
復(fù)購(gòu)薄厚膜集成電路 中小型集成電路多腳嵌入效果贊
集成電路可以把模擬和數(shù)字電路集成在一個(gè)單芯片上,以做出如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器和數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器等器件。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本,但是對(duì)于信號(hào)沖突必須小心。
空間站“天和”核心艙發(fā)射了!這意味著,我國(guó)空間站建設(shè)序幕也即將拉開(kāi),這將是中國(guó)載人航天又一個(gè)里程碑。 中國(guó)天宮空間站將于2022年前后正式完成在軌建造任...
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等,有時(shí)特指雙極型器件),具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)...
應(yīng)用材料公司推出DRAM微縮領(lǐng)域的材料工程解決方案
全球經(jīng)濟(jì)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型正在催生對(duì)DRAM創(chuàng)紀(jì)錄的需求。物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)造了數(shù)千億臺(tái)新的邊緣計(jì)算設(shè)備,推動(dòng)著數(shù)據(jù)上云處理的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2021-05-07 標(biāo)簽:電容器DRAM物聯(lián)網(wǎng) 3046 1
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)/雙脈沖測(cè)試方案
功率器件如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣雙極晶體管[IGBT) ,這些功率器件提供了快速開(kāi)關(guān)速度,能夠耐受沒(méi)有規(guī)律的電壓峰值,被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)...
你聽(tīng)說(shuō)過(guò)晶體管微縮嗎?晶體管微縮是什么情況?作為硬件工程師,不可不知。半導(dǎo)體行業(yè)中,“微縮(Scaling)”是一個(gè)經(jīng)
探究嵌入式設(shè)計(jì)技術(shù)在選擇電源FET中的應(yīng)用
嵌入式設(shè)計(jì)通常由一個(gè)微控制器和各種二級(jí)接口構(gòu)成,如電源。能夠放心且迅速簡(jiǎn)便地選擇電源的元器件對(duì)提供可靠
2021-04-28 標(biāo)簽:電流開(kāi)關(guān)電源電壓 1534 0
CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊,以滿足其對(duì)自然冷卻的需求
CISSOID 實(shí)現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的整體融合設(shè)計(jì),且可通過(guò)仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實(shí)現(xiàn)控制,通過(guò)快速切換所固有的電壓過(guò)沖來(lái)優(yōu)化IPM,從而將開(kāi)關(guān)能量...
2021-04-27 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器晶體管CISSOID 1125 0
簡(jiǎn)述Nand Flash結(jié)構(gòu)及錯(cuò)誤機(jī)制
NAND-Flash Nand Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有讀寫(xiě)速度快.功耗低.存儲(chǔ)密度高等優(yōu)點(diǎn),目前被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,如固態(tài)硬盤( SS...
中科院成功構(gòu)建了尺寸小于1納米、由單個(gè)分子構(gòu)成的晶體管器件
據(jù)悉,該項(xiàng)研究成果為未來(lái)亞納米器件功能原理探索拓展了思路,證明了亞納米信息器件中,信息的傳輸行為有不同的可能性和豐富的潛在功能,為強(qiáng)關(guān)聯(lián)物理現(xiàn)象(非常規(guī)...
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