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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破
芯東西12月16日?qǐng)?bào)道,在IEDM 2024(2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議)上,英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項(xiàng)技術(shù)...
8.1.2 電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.1.2電流-電壓關(guān)系8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.1夾...
2022-02-18 標(biāo)簽:晶體管 659 0
到目前為止,大多數(shù)計(jì)算設(shè)備都是由一個(gè)處理單元和一個(gè)物理上獨(dú)立的內(nèi)存組件組成的。創(chuàng)建一種可以有效執(zhí)行這兩種功能的設(shè)備(稱為內(nèi)存中邏輯架構(gòu))可以幫助顯著簡(jiǎn)化...
后FinFET時(shí)代的技術(shù)演進(jìn)說明
FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是,隨著器件的持續(xù)微縮,短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中,IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)...
2020-12-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)晶體管 657 0
本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)編譯自bisinfotech半導(dǎo)體創(chuàng)新正在塑造技術(shù)的未來。在當(dāng)今快節(jié)奏的數(shù)字時(shí)代,半導(dǎo)體技術(shù)是創(chuàng)新的支柱,推...
大阪大學(xué):石墨烯可用于自旋晶體管中 石墨烯作為構(gòu)成LSI的MOSFET新一代通道材料而備受關(guān)注。這種碳材料還有望用作利用電子自
微軟將電子與光子技術(shù)結(jié)合,推出突破性計(jì)算機(jī)模型迭代機(jī)
根據(jù)資料可知,摩爾定律是英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾在上個(gè)世紀(jì)提出的概念,指的是集成電路上能容納的晶體管數(shù)目約每?jī)赡攴环2贿^隨著晶體管尺寸越來越小...
2023-06-29 標(biāo)簽:微軟計(jì)算機(jī)晶體管 652 0
在音頻放大技術(shù)的發(fā)展歷史中,OTL電路和管放大器都扮演了重要的角色。OTL電路以其無輸出變壓器的設(shè)計(jì)而聞名,而管放大器則因其獨(dú)特的音色和溫暖的音質(zhì)受到許...
使用鍺雙極型PNP晶體管并帶又獨(dú)立二極管檢波的陷流測(cè)試振蕩器
使用鍺雙極型PNP晶體管并帶又獨(dú)立二極管檢波的陷流測(cè)試振蕩器電路圖
2009-03-29 標(biāo)簽:晶體管 650 0
FRAM技術(shù)在機(jī)器學(xué)習(xí)和人工應(yīng)用方面具有很大的潛力
最近出現(xiàn)的許多內(nèi)存問題都以3D Xpoint的形式出現(xiàn)在ReRAM,MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM(FRAM)在小型利基設(shè)備中得到了成功。 去年...
無錫力芯微電子股份有限公司獲快壓保護(hù)開關(guān)電荷泵電路專利
這項(xiàng)專利涉及到一款新型電荷泵電路,位于電路結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。這款電路采用獨(dú)特的場(chǎng)效應(yīng)晶體管交叉耦合和泄流回路設(shè)計(jì),確保在輸入電壓 VIN 出現(xiàn)過壓情況下,...
12.1.2 靜態(tài)感應(yīng)晶體管(SIT)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
12.1.2靜態(tài)感應(yīng)晶體管(SIT)12.1微波器件第12章專用碳化硅器件及應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1...
2022-04-26 標(biāo)簽:晶體管 647 0
有了RISC-V,很多人的目標(biāo)就更嚴(yán)格了。如何優(yōu)化處理器內(nèi)核以執(zhí)行特定任務(wù)。通過適當(dāng)?shù)姆治鏊剑麄兛梢詫⑵湔w指標(biāo)(無論是面積、速度、功耗還是它們的組...
10.7.3 柔性薄膜晶體管(FTFT)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
10.7柔性半導(dǎo)體器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPG...
2022-05-09 標(biāo)簽:晶體管 643 0
GaN HEMT技術(shù)引領(lǐng)儲(chǔ)能系統(tǒng)革命,國(guó)內(nèi)企業(yè)積極布局
隨著5G通信和電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)憑借其卓越的物理和化學(xué)特性,逐漸成為儲(chǔ)能系統(tǒng)和電力電子器件的重要材料。業(yè)...
2024-08-28 標(biāo)簽:晶體管GaN儲(chǔ)能系統(tǒng) 642 0
意法半導(dǎo)體高集成度高壓驅(qū)動(dòng)器縮小高性能超聲波掃描儀尺寸
2023年7月18日,中國(guó)——意法半導(dǎo)體 STHV200超聲波 IC單片集成線性驅(qū)動(dòng)器、脈沖驅(qū)動(dòng)器與鉗位電路、開關(guān)和診斷電路,簡(jiǎn)化醫(yī)用和工業(yè)用掃描儀設(shè)計(jì)...
2023-07-18 標(biāo)簽:二極管變送器線性驅(qū)動(dòng)器 641 0
從計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)看操作系統(tǒng)
盡管依然能夠制造出更多更小的晶體管,但已不像過去那樣了,單個(gè)晶體管的功耗已不能很好地按比例縮小。由于傳感器、移動(dòng)設(shè)備、終端與數(shù)據(jù)中心等大多數(shù)產(chǎn)品都不能容...
2023-01-09 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)晶體管 640 0
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