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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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Mouser Electronics宣布供貨市場上最小的晶體管封裝,該產(chǎn)品來自ROHM Semiconductor公司,專門針對緊湊的薄型便攜式設(shè)備而優(yōu)化。
2013-08-14 標(biāo)簽:晶體管羅姆Mouser Electronics 798 0
華大九天多款產(chǎn)品獲得ISO 26262 TCL3和IEC 61508 T2國際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
據(jù)華大九天2023年年報披露,其原理圖/版圖編輯工具Empyrean Aether、電路仿真工具Empyrean ALPS、物理驗(yàn)證工具Empyrean...
富士通微電子宣布將開發(fā)具有高擊穿電壓CMOS高壓晶體管
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯(1)制程的CMOS高壓晶體管,該晶體管適用于無...
1月8日消息,日本豐田合成株式會社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化鎵 (Ga...
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。 場效應(yīng)管 :...
2024-12-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)管封裝晶體管 793 0
晶體管電路設(shè)計的常見問題 如何使用晶體管實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制
在晶體管電路設(shè)計中,常見的問題包括: 晶體管選擇 :選擇合適的晶體管對于電路的性能至關(guān)重要。需要考慮的因素包括晶體管的類型(雙極型晶體管BJT或金屬氧化...
DARPA希望通過新的器件級電子散熱技術(shù)晶體管放大器計劃
寬帶隙晶體管,如氮化鎵(GaN),是專門為提高功率放大器的輸出密度而開發(fā)的,與上一代晶體管技術(shù)相比,GaN確實(shí)提供了5倍以上的改進(jìn)。GaN的功率輸出有可...
三星獲美國64億美元補(bǔ)貼 將在美生產(chǎn)2nm芯片
美國政府宣布將為三星電子提供高達(dá)64億美元芯片補(bǔ)貼,以擴(kuò)大得克薩斯州的芯片生產(chǎn)。
隨著新能源工業(yè)的發(fā)展,越來越多的動力系統(tǒng)采用新能源替代汽油,煤炭等燃料,特別是當(dāng)下最為火熱的鋰電池,比如鋰電池可以用在汽車,摩托車,小家電,電動工具等領(lǐng)...
2021-07-09 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 788 0
放大器自身的電流噪聲通過何種方案可以降低呢?是在前端進(jìn)行抑制還是后端過濾?
放大器自身的電流噪聲通過何種方案可以降低呢?是在前端進(jìn)行抑制還是后端的過濾? 放大器自身的電流噪聲是放大器設(shè)計中的一個重要問題。通過合理的設(shè)計和維護(hù)可以...
綜述:用于神經(jīng)活動記錄的柔性有機(jī)晶體管的研究進(jìn)展
大腦作為人體重要器官之一,吸引著無數(shù)研究者探求其收集和處理信息的基本機(jī)制。大腦神經(jīng)活動的信號監(jiān)測是了解其工作機(jī)制最基本的手段之一。神經(jīng)活動主要以電的形式...
Wolfspeed的CG2H80030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,氮化鎵具備優(yōu)異的性能指標(biāo);包含相對較高的...
2022-10-14 標(biāo)簽:晶體管 784 0
日立(HITACHI)耐高壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)/碳化硅(SiC)模塊
耐高壓SiCIGBT模塊是一種集成了碳化硅(SiC)材料和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的電力電子器件。SiC材料因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率,能夠在...
BJT與其他半導(dǎo)體器件的區(qū)別 1. 結(jié)構(gòu)差異 BJT結(jié)構(gòu): BJT是一種雙極型半導(dǎo)體器件,它由兩個PN結(jié)組成,分為NPN和PNP兩種類型。BJT由發(fā)射極...
英偉達(dá)在加利福尼亞州圣何塞舉行的GTC大會上表示,名為GB200的使用Blackwell架構(gòu)的新處理器在處理支持人工智能的模型方面可以將速度提高數(shù)倍。
ZOS-T0704 由紅外發(fā)射二極管和 NPN 硅光晶體管組成,它們并排封裝在黑色熱塑性外殼中的匯聚光軸上。
紫外輔助清洗對非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管穩(wěn)定性的影響
薄膜晶體管TFTs采用氧化鋅等非晶氧化物半導(dǎo)體,如ZnO, Ga-In-Zn-O, or Hf-InZn-O HIZO,由于其在平板顯示器上的高應(yīng)用潛力...
英特爾CEO基辛格:摩爾定律仍具生命力,且仍在推動創(chuàng)新
摩爾定律概念最早由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在1970年提出,明確指出芯片晶體管數(shù)量每兩年翻一番。得益于新節(jié)點(diǎn)密度提升及大規(guī)模生產(chǎn)芯片的能力。
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