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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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MOS管的雪崩是一個涉及半導體物理和器件特性的復雜現(xiàn)象,主要發(fā)生在高壓、高電場強度條件下。以下是對MOS管雪崩的詳細解析,包括其定義、原理、影響、預防措...
電子管功放與晶體管功放作為音頻放大領(lǐng)域的兩大主流技術(shù),各自具有獨特的特點和優(yōu)勢。它們在工作原理、音質(zhì)表現(xiàn)、技術(shù)特性及應用場景等方面存在顯著差異。
功率放大器的導通角是一個關(guān)鍵參數(shù),它直接影響到放大器的性能和效率。 功率放大器導通角的定義 功率放大器導通角是指在功率放大器的輸出信號周期內(nèi),晶體管導通...
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
三星宣布業(yè)界首個3nm級制造技術(shù)開始大量生產(chǎn)
納米線是直徑在納米量級的納米結(jié)構(gòu)。納米線技術(shù)的基本吸引力之一是它們表現(xiàn)出強大的電學特性,包括由于其有效的一維結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的高電子遷移率。
利用氮化鎵場效應晶體管和LM5113半橋驅(qū)動器實現(xiàn)的功率及效率
但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲(MHz)范圍的供電電壓?我們可以通過不同的方法來實現(xiàn)。其中一個方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
晶體管是一種半導體器件,廣泛應用于電子設(shè)備中。它具有三個主要的引腳:基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發(fā)射極之間的...
運算放大器(Operational Amplifier,簡稱運放)在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色,它們能夠放大、緩沖、濾波和比較信號。然而,在實際應用...
MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管,是一種應用場效應原理工作的半導體器件。
但隨著技術(shù)迭代,晶體管尺寸持續(xù)縮減,電阻電容(RC)延遲已成為制約集成電路性能的關(guān)鍵因素。在90納米及以下工藝節(jié)點,銅開始作為金屬互聯(lián)材料取代鋁,同時采...
單管自激升壓電路是一種利用單個晶體管和少量元件實現(xiàn)電壓提升的電路。這種電路廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、LED驅(qū)動、電池充電器等領(lǐng)域。由于其結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、易...
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