晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 晶體管選型

晶體管技術(shù)

英特爾預(yù)計(jì)2026至2030年推出完整的玻璃基板解決方案

為了證明該技術(shù)的有效性，英特爾發(fā)布了一款全功能測(cè)試芯片，該芯片采用 75um TGV，長(zhǎng)寬比為 20:1，核心厚度為 1 毫米。雖然測(cè)試芯片是客戶端設(shè)備...

2023-09-25 標(biāo)簽：處理器封裝技術(shù)晶體管 1190 0

半導(dǎo)體器件為什么熱阻參數(shù)經(jīng)常被誤用？

一些半導(dǎo)體器件集成了專用的熱二極管，根據(jù)校準(zhǔn)后的正向電壓與溫度曲線精確測(cè)量結(jié)溫。由于大多數(shù)器件沒(méi)有這種設(shè)計(jì)，結(jié)溫的估計(jì)取決于外部參考點(diǎn)溫度和封裝的熱阻參...

2023-09-25 標(biāo)簽：芯片 pcb 電路板 2921 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...

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干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）

提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1288 0

半導(dǎo)體發(fā)展史簡(jiǎn)述

書(shū)接上回。我們提到了真空管的誕生催生了集成電路行業(yè)的發(fā)展，但是最初的真空管由于其體積較大、壽命較短、功耗較等缺點(diǎn)，所以將許多商業(yè)巨擘將其推向更廣泛市場(chǎng)的...

2023-09-24 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶體管 1392 0

IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場(chǎng)規(guī)模分析

功率半導(dǎo)體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制...

2023-09-24 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 6107 0

非隔離型開(kāi)關(guān)電源的三種工作方式

非隔離型開(kāi)關(guān)電源一般有三種基本工作方式，降壓型、升壓型、極性反轉(zhuǎn)型三種，而其他的都是這三種形式轉(zhuǎn)換而來(lái)，例如反激式、正激式、推挽式、半橋式、全橋式。

2023-09-24 標(biāo)簽：原理圖開(kāi)關(guān)電源晶體管 1.3萬(wàn) 0

汽車CAN總線保護(hù)簡(jiǎn)析

汽車自問(wèn)世以來(lái)取得了長(zhǎng)足發(fā)展。現(xiàn)在的汽車擁有眾多功能，包括自動(dòng)和半自動(dòng)駕駛、防抱死制動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、前后碰撞警告、車道輔助、自動(dòng)泊車輔助和自動(dòng)緊急制動(dòng)等。

2023-10-10 標(biāo)簽：CAN總線 TVS二極管晶體管 2375 0

集成電路上晶體管結(jié)構(gòu)的那些事兒

新思科技一直致力于打造“人人都能懂”的行業(yè)科普視頻，傳播更多芯片相關(guān)小知識(shí)，解答各類科技小問(wèn)題。每周3分鐘，多一些“芯”知識(shí)。這一期，我們聊一聊集成電...

2023-09-23 標(biāo)簽：集成電路二極管半導(dǎo)體 2588 0

IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶...

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半導(dǎo)體工業(yè)的誕生

在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過(guò)程。從半導(dǎo)體主要制造階段所需主要材料的準(zhǔn)備開(kāi)始，到最終的產(chǎn)品封裝階段，我們...

2023-09-22 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 1112 0

LED的結(jié)溫主要由哪些因素引起的？

引起LED的結(jié)溫主要有哪些因素？歡迎大家查閱本篇文章。結(jié)溫指的是電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體芯片中的PN結(jié)工作溫度，一般情況下，結(jié)溫要高于器件外殼溫度和表面溫度。

2023-09-22 標(biāo)簽：led燈 LED光源晶體管 1507 0

高功率放大器常見(jiàn)故障分析

過(guò)熱：由于高功率放大器需要輸出較大的功率，其內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生大量的熱量。如果散熱不良或者工作環(huán)境溫度過(guò)高，就容易導(dǎo)致放大器過(guò)熱。過(guò)熱會(huì)導(dǎo)致放大器性能下降甚至損...

2023-09-22 標(biāo)簽：電源放大器晶體管 1197 0

IGBT功率模塊的開(kāi)關(guān)特性有哪些呢？

IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。

2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 2190 0

LVDS與MLVDS的區(qū)別與應(yīng)用場(chǎng)景

差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線一根地線的做法，差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同，相位相反。

2023-09-21 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器晶體管電磁干擾 1.2萬(wàn) 0

oled屏幕燒屏?xí)约夯謴?fù)嗎

AMOLED采用了活性矩陣（active-matrix）結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)像素都由獨(dú)立的薄膜晶體管控制；而OLED則采用被動(dòng)矩陣（passive-matri...

2023-09-21 標(biāo)簽：OLED 晶體管 AMOLED 1.9萬(wàn) 0

電池充電器反向保護(hù)電路工作原理圖解

更高電壓電池反接保護(hù) 當(dāng)充電器關(guān)閉時(shí)，下圖顯示了 PMOS 保護(hù)電路的效果。需要注意的是，電池充電器和負(fù)載電壓永遠(yuǎn)不會(huì)遇到負(fù)電壓傳輸。

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詳解原型驗(yàn)證技術(shù)的發(fā)展史

隨著AI、5G等尖端技術(shù)的進(jìn)步，“萬(wàn)物互聯(lián)”的愿景正逐步成為現(xiàn)實(shí)，為人們帶來(lái)更便捷的生活方式，激發(fā)著無(wú)盡的應(yīng)用可能性。這不僅加速了芯片設(shè)計(jì)行業(yè)的變革，而...

2023-09-21 標(biāo)簽：soc 原型驗(yàn)證 eda 1047 0

詳解毫米波倍頻程壓控振蕩器VCO設(shè)計(jì)

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2023-09-21 標(biāo)簽：振蕩器晶體管 VCO 3111 0

pcb設(shè)計(jì)如何減少接地反彈問(wèn)題？

輸出和接地之間的電位差異電流從輸出通過(guò)下部MOS向下移動(dòng)到接地。電感利用存儲(chǔ)磁場(chǎng)中的能量在 ΔVO和 ΔVB之間建立電勢(shì)差，試圖抵抗磁場(chǎng)的變化。

2023-09-21 標(biāo)簽：pcb MOS管晶體管 587 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
四軸飛行器

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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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