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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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簡(jiǎn)單的分立元件振蕩器設(shè)計(jì)中蘊(yùn)含的巧妙思想
這次推文來(lái)探討一個(gè)看似簡(jiǎn)單的振蕩器設(shè)計(jì),電容三點(diǎn)式的晶體振蕩器,此設(shè)計(jì)初看極其平淡無(wú)奇,其中卻內(nèi)涵巧妙
用運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)電流—電壓(I—V)變換電路。輸出電壓可用V0=-IA×RF表示。圖4-3-24是前置放大器的電流—電壓變換輸出電路。
2023-10-18 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器變換器晶體管 3829 0
功率放大器失真是指輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之間存在差異,這種差異可能是頻率、幅度或相位上的偏差。功率放大器失真的原因主要有以下幾種。
放大電路失真是指輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之間存在差異,這種差異可能是頻率、幅度或相位上的偏差。放大電路失真類型主要有以下幾種。
LED模擬調(diào)光 VS 數(shù)字調(diào)的區(qū)別是什么
根據(jù)響應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置基準(zhǔn)來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變,調(diào)節(jié)LED亮度
直流電機(jī)(direct current machine)是指能將直流電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能(直流電動(dòng)機(jī))或?qū)C(jī)械能轉(zhuǎn)換成直流電能(直流發(fā)電機(jī))的旋轉(zhuǎn)電機(jī)。
MOS管,全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體,是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同,MOS管主要可分為高壓...
在更小、更輕、更薄的消費(fèi)產(chǎn)品趨勢(shì)的推動(dòng)下,越來(lái)越小的封裝類型已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)。事實(shí)上,封裝已經(jīng)成為在新設(shè)計(jì)中使用或放棄設(shè)備的關(guān)鍵決定因素。本文首先定義了“倒...
IC元器件(集成電路元器件)是一種將多個(gè)電子元件(如晶體管、二極管、電阻、電容等)集成在一塊半導(dǎo)體芯片上的電子元件。它具有多種基本功能。
IGBT是變頻器的核心部件,自然要分外關(guān)注。 在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖...
晶體管就像電子開(kāi)關(guān)一樣工作。它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一種簡(jiǎn)單的思考方法是將晶體管視為沒(méi)有任何活動(dòng)部件的繼電器。晶體管在某種意義上類似于繼電器,您可以使用它...
什么是CNT、SWCNT和MWCNT?CNT技術(shù)潛力何在?
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDTechEx指出,隨著硅基器件尺寸逼近物理極限,硅柔性化處理已日趨接近天花板;碳基材料的突破也為柔性電子提供了更好的選擇。其中,CNT和...
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
其中,溝道電阻Rch可以由下式描述。式中,L是溝道長(zhǎng)度,W是溝道寬度,μn是電子遷移率,Cox是柵極氧化層電容,VGS(on)是導(dǎo)通狀態(tài)柵極電壓,VGS...
減小特征尺寸和隨之可以逐漸增加的電路集成密度有幾個(gè)好處。在電路性能水平上,有一個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)就是可以增加電路運(yùn)行速度。
2023-10-13 標(biāo)簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體芯片 1326 0
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對(duì)器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來(lái)器件架構(gòu)的第一次重大變革,即從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)轉(zhuǎn)變到納米片(nanosheet)。
微型自感應(yīng)晶體管恒溫器使用單個(gè)晶體管(BJT或FET)作為溫度傳感器和穩(wěn)定加熱器。這些晶體管恒溫器(如果設(shè)計(jì)良好)是一種有效、高效且廉價(jià)的方法,可以保持...
存算一體芯片生產(chǎn)制造流程與傳統(tǒng)AI芯片的差異是什么?
一般芯片驗(yàn)證從層級(jí)上可以大概劃分為IP level,Subsystem level,和SoC level的驗(yàn)證;根據(jù)項(xiàng)目的階段可以分為前端驗(yàn)證和后端驗(yàn)證...
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