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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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MOSFET簡(jiǎn)介金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載...
PCB電路設(shè)計(jì)中常見(jiàn)的15種效應(yīng)解析
減少晶體效應(yīng)的措施 合理布局:合理規(guī)劃PCB布局,避免晶體管等器件受到外部干擾的影響,盡量減少電磁場(chǎng)對(duì)器件的干擾。 溫度控制:在PCB設(shè)計(jì)和制造...
功率放大器有哪些類(lèi)型 5種類(lèi)型盤(pán)點(diǎn)
這種類(lèi)型的放大器只有一部分信號(hào)周期內(nèi)的輸出晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),通常用于需要高效率但可以容忍較高失真的應(yīng)用,例如射頻傳輸。
可靠性測(cè)試中,如何減少HCI和電遷移的測(cè)試時(shí)間?
許多可靠性“磨損”測(cè)試監(jiān)測(cè)的是一個(gè)性能參數(shù),該參數(shù)隨著對(duì)數(shù)變化的時(shí)間長(zhǎng)度而穩(wěn)步下降。
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 975 0
關(guān)于射頻學(xué)習(xí)的問(wèn)題總結(jié)
請(qǐng)問(wèn)一下,你們遇到過(guò)開(kāi)著HB仿真和關(guān)著HB仿真,兩者小信號(hào)有區(qū)別的情況嗎?增益會(huì)掉兩個(gè)dB,回?fù)芤猜杂胁煌?/p>
創(chuàng)新型全芯片LVS檢查工具:加速驗(yàn)證流程,提升設(shè)計(jì)效率
隨著片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的不斷發(fā)展,設(shè)計(jì)的復(fù)雜性與芯片技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步緊密交織,共同推動(dòng)著電子設(shè)備未來(lái)的發(fā)展。
2024-03-12 標(biāo)簽:晶體管片上系統(tǒng)SoC芯片 2257 0
CMOS工藝技術(shù)的概念、發(fā)展歷程、優(yōu)點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景介紹
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor, 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是當(dāng)今集成電路制造的主流技術(shù),...
集成電路基礎(chǔ)知識(shí)介紹:從原子結(jié)構(gòu)到晶體管
在19世紀(jì)末期,消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品包括照明、加熱、電話(huà)和電報(bào)等一些簡(jiǎn)單的電路。但是無(wú)線電的發(fā)明和對(duì)于能夠整流和放大信號(hào)的電器元件的需求推動(dòng)了真空管的發(fā)明。
近年來(lái),具有ABX?晶體結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其可調(diào)帶隙、高吸收系數(shù)、長(zhǎng)載流子傳輸距離等光電學(xué)特性而在光電探測(cè)領(lǐng)域表現(xiàn)出良好應(yīng)用前景
CMOS 是 20 世紀(jì) 60 年代構(gòu)建微處理器的技術(shù)選擇。使晶體管和互連器件變得更小,以使其更好地工作 60、70 年。但這種情況已經(jīng)開(kāi)始崩潰。
2024-03-11 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)晶體管 911 0
影響放大電路高頻特性的主要因素是很多的,包括晶體管的頻率響應(yīng)、反饋電容、電感、布線、負(fù)載電容等。這些因素都會(huì)對(duì)放大電路的高頻特性產(chǎn)生不同程度的影響。 首...
在電路板背面找到元器件位置是電子工程師和電路維修人員的常見(jiàn)任務(wù)之一。這項(xiàng)任務(wù)需要仔細(xì)的觀察和專(zhuān)業(yè)的電子知識(shí)。以下是一個(gè)詳細(xì)的步驟,以幫助您在電路板背面找...
ADS調(diào)用spectre網(wǎng)表仿真異常—薛定諤的NetlistInclude
ADS是支持調(diào)用spice/spectre等網(wǎng)表文件進(jìn)行仿真的,可以用NetlistInclude控件來(lái)進(jìn)行調(diào)用。
2024-03-07 標(biāo)簽:MOS管芯片設(shè)計(jì)晶體管 4183 0
超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及其原理分析
超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)管(Superconducting Field Effect Transistor,SFET)是一種新型的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了超導(dǎo)電性和晶體管...
2024-03-06 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1157 0
調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢(shì)。然而,GaN...
假設(shè)射頻系統(tǒng)在 2.4GHz 頻率下工作,那么 LDO 噪聲會(huì)將 2.4GHz 上下的 VCO 噪聲頻譜提高至 LDO帶寬。在 VCO 原始噪聲圖中加入...
2024-03-05 標(biāo)簽:ldo晶體管LDO穩(wěn)壓器 1514 0
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