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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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在放大器中既有直流成分,又有交流成分,為了分析電路方便,常將直流成分所通過(guò)的路徑稱(chēng)為直流通路,而將交流信號(hào)所通過(guò)的路徑稱(chēng)為交流通路。因電容具有隔直流通交...
在米粒大的硅片上,已能集成16萬(wàn)個(gè)晶體管,由于硅元素是地殼中儲(chǔ)量最豐富的元素之一,對(duì)太陽(yáng)能電池這樣注定要進(jìn)入大規(guī)模市場(chǎng)(mass market)的產(chǎn)品而...
對(duì)于PNP型三極管,C、E極分別為其內(nèi)部?jī)蓚€(gè)PN結(jié)的正極,B極為它們共同的負(fù)極,而對(duì)于NPN型三極管而言,則正好相反:C、E極分別為兩個(gè)PN結(jié)的負(fù)極,而...
2019-06-19 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 7044 0
明確需用的額定電壓,或是電子元件能夠承載的最高電壓。額定電壓越大,電子元件的成本就越高。按照實(shí)踐證明,額定電壓應(yīng)該高于干線(xiàn)電壓或總線(xiàn)電壓。這樣才可以提供...
2019-06-19 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2900 0
場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)間繼電器是怎樣工作的?
接通電源時(shí),由于電容C3兩端電壓為零,場(chǎng)效應(yīng)管VT處于截止?fàn)顟B(tài),繼電器KA釋放,延時(shí)開(kāi)始。同時(shí)電源E通過(guò)電阻R2、繼電器KA線(xiàn)圈向電容C3充電,電容上的...
2019-06-19 標(biāo)簽:繼電器場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3195 0
MOS管是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電子電路中,特別是具有上述要求前級(jí)放大器顯示器出越性。根據(jù)MOS管兩大類(lèi)型--結(jié)型M...
優(yōu)點(diǎn)是不同公共點(diǎn)之間可帶不同的交、直流負(fù)載,且電壓也可不同,帶負(fù)載電流可達(dá)2A/點(diǎn);但繼電器輸出方式不適用于高頻動(dòng)作的負(fù)載,這是由繼電器的壽命決 定的。...
此HEXFET功率MOSFET專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于維持能量恢復(fù)和通過(guò)開(kāi)關(guān)應(yīng)用在等離子顯示面板中。此MOSFET利用最新處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)每個(gè)硅區(qū)域和低脈沖的電阻。此...
AO3404場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特點(diǎn)及應(yīng)用
AO3404采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)秀的無(wú)線(xiàn)電數(shù)據(jù)系統(tǒng)(ON)和低門(mén)電荷。該裝置可作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用中使用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO3404是無(wú)鉛的(符合...
2019-06-14 標(biāo)簽:pwm晶體管無(wú)線(xiàn)電 1.0萬(wàn) 0
OP275是首款采用巴特勒放大器前端的放大器。這種新型前端設(shè)計(jì)集雙極性與JFET晶體管于一體,兼有雙極性晶體管的精度和低噪聲性能,以及JFET晶體管的速...
2019-06-14 標(biāo)簽:噪聲運(yùn)算放大器晶體管 1.3萬(wàn) 0
分相器電路產(chǎn)生兩個(gè)輸出信號(hào),這兩個(gè)輸出信號(hào)的幅度相等但相位與單個(gè)輸入信號(hào)的相位相反,晶體管分相器的輸入信號(hào)是應(yīng)用于基極端子,其中一個(gè)輸出信號(hào)取自集電極端...
通用集電極放大器在其發(fā)射極負(fù)載上產(chǎn)生輸出電壓,該輸出電壓與輸入信號(hào)同相,在許多方面,公共集電極配置(CC)是相反的共發(fā)射極(CE)配置,因?yàn)檫B接的負(fù)載電...
雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器可以通過(guò)一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)切換到另一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。因此,在外部觸發(fā)脈沖的應(yīng)用中,它需要兩個(gè)外部觸發(fā)脈沖才能返回其原始狀態(tài)。由于雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器具...
多諧振蕩器產(chǎn)生類(lèi)似于對(duì)稱(chēng)或非對(duì)稱(chēng)方波的輸出波形,因此是最常用的是所有方波發(fā)生器。多諧振蕩器屬于一類(lèi)通常稱(chēng)為“弛豫振蕩器”的振蕩器。一般來(lái)說(shuō),離散多諧振蕩...
研究了NPN和PNP雙極結(jié)晶體管(BJT)以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和操作(FET),結(jié)和絕緣柵,我們可以總結(jié)這些晶體管教程的要點(diǎn)
以其發(fā)明者Sidney Darlington命名的達(dá)林頓晶體管連接在一起的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)NPN或PNP雙極結(jié)型晶體管(BJT)的排列。一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接到...
各種MOSFET并聯(lián)連接可以啟用我們要切換高電流或高電壓負(fù)載,這樣做會(huì)在元件和電路板空間變得昂貴且不切實(shí)際。為了克服這個(gè)問(wèn)題,功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管或功率FE...
MOSFET結(jié)構(gòu)和符號(hào)及教程摘要
除了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)外,還有另一種類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其柵極輸入與主載流通道電絕緣,因此被稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。最常見(jiàn)的絕緣柵FET類(lèi)型用...
雙極結(jié)型晶體管教程,我們看到晶體管的輸出集電極電流與流入器件基極端的輸入電流成正比,從而使雙極晶體管成為“電流”操作器件(Beta模型),因?yàn)殡娏鬏^小可...
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