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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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由于是單晶圓系統(tǒng),所以必須有足夠高的沉積速率使 薄膜沉積過程在1 ~2 min內(nèi)完成,這樣才能達(dá)到每小時(shí)生產(chǎn)30?60片晶圓的生產(chǎn)能力。
什么是數(shù)字邏輯設(shè)計(jì)?我應(yīng)該使用什么工具?
上文中我們指出,不管我們是創(chuàng)建自定義 ASIC 芯片還是配置 FPGA,都可以使用相同的數(shù)字邏輯設(shè)計(jì)工具。
基于FET的生化傳感器表現(xiàn)出可靠、環(huán)保、高靈敏、便捷的特點(diǎn),有望成為新一代傳感平臺(tái)。
晶體管設(shè)計(jì)施密特觸發(fā)器工作原理、實(shí)例
本文展示了如何使用晶體管設(shè)計(jì)施密特觸發(fā)器,如何改進(jìn)基本設(shè)計(jì),以及為什么有時(shí)它可能是最好的方法。
2022-10-31 標(biāo)簽:比較器晶體管施密特觸發(fā)器 2010 0
使用晶體管和運(yùn)算放大器的負(fù)反饋電路設(shè)計(jì)
電子系統(tǒng)的主要關(guān)注點(diǎn)是穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,為了保持這些關(guān)鍵因素,輸出的某些部分連接回系統(tǒng)的輸入,這稱為反饋。另外,控制系統(tǒng)根據(jù)反饋連接分為閉環(huán)系統(tǒng)和開環(huán)...
2022-10-28 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器電路設(shè)計(jì)晶體管 3770 0
使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個(gè)100W RMS輸出功率放大器電路
在本教程中,我們將使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個(gè)100W RMS輸出功率放大器電路,并連接一個(gè)4歐姆阻抗揚(yáng)聲器。
有源晶振一般都有個(gè)標(biāo)志,附近的腳是1#腳。從頂部看是逆時(shí)針方向數(shù)腳的編號(hào),2#腳接地,3#腳振蕩輸出,4#腳接電源。
此類故障在PLC工作一定時(shí)間后的故障中經(jīng)常發(fā)生。在PLC控制回路中如果出現(xiàn)元器件損壞故障,PLC控制系統(tǒng)就會(huì)立即自動(dòng)停止工作。
放大器(Amplifier): 能夠?qū)崿F(xiàn)信號(hào)、功率放大的器件。比如一個(gè)3管腳的晶體管、一個(gè)8管腳的運(yùn)算放大器。
2022-10-26 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器晶體管 4667 0
一種用于機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算的新型離子電路
人腦和數(shù)字計(jì)算機(jī)之間的最大區(qū)別是計(jì)算的方式。在數(shù)字計(jì)算機(jī)中,電子是通過半導(dǎo)體材料操控的;在大腦中,離子在液體中被操控。
2022-10-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管機(jī)器學(xué)習(xí) 1034 0
激光加工的單層MoS2樣品的拉曼峰值差要略大于機(jī)械剝離的單層MoS2樣品,這是因?yàn)榧す饧庸?huì)在MoS2樣品表面存在一些樣品殘留
現(xiàn)代計(jì)算機(jī)發(fā)展所遵循的基本結(jié)構(gòu)形式始終是馮·諾依曼機(jī)結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是“程序存儲(chǔ),共享數(shù)據(jù),順序執(zhí)行”,需要 CPU 從存儲(chǔ)器取出指令和數(shù)據(jù)進(jìn)行相應(yīng)的計(jì)算
晶體管絲印標(biāo)識(shí)與型號(hào)、原理圖符號(hào)
一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結(jié)型晶體管,其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和...
實(shí)現(xiàn)無晶體管CIM架構(gòu)的器件物理特性
為了推進(jìn)人工智能,賓夕法尼亞大學(xué)的研究人員最近開發(fā)了一種用于數(shù)據(jù)密集型計(jì)算的新型內(nèi)存計(jì)算 (CIM) 架構(gòu)。
IGBT失效場(chǎng)合:來自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。...
有兩個(gè)晶體管(transistor),一個(gè)NPN和一個(gè)PNP,連接方式下圖所示。假設(shè)此晶體管是硅(Si),并顯示0.6伏特(V)基極至發(fā)射極電壓,且兩個(gè)...
晶體管(三極管)的功能之一就是作為開關(guān),利用其截止特性,實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能。但是很多人并不能很好的理解三極管的開關(guān)功能,下面以8個(gè)實(shí)例圖片,生動(dòng)的闡述三極管作...
2022-10-20 標(biāo)簽:三極管晶體管高邊開關(guān) 3214 0
高速光耦合器及其開關(guān)特性H11LxM、H11NxM
在光耦合器的歷史上,標(biāo)準(zhǔn)光晶體管與施密特觸發(fā)器輸出光耦合器的數(shù)據(jù)速度比較是顯而易見的。H11LxM和H11NxM 光耦合器提供了巨大的速度和獲得的改進(jìn)。...
2022-10-19 標(biāo)簽:光耦合器晶體管開關(guān)特性 2246 0
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